| DISSERTAÇÃO DE MESTRADO |
Título Original (PT): |
EFEITOS ESTRUTURAIS E ÓPTICOS DA INCORPORAÇÃO DE MN EM FILMES NANOCRISTALINOS DE GA1-XMNXN PREPARADOS SPUTTERING REATIVO |
Autor: |
LEITE, DOUGLAS MARCEL GONÇALVES |
Email: |
dmgleite@fc.unesp.br |
Instituição: |
UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO (UNESP) - BRASIL |
Unidade: |
FACULDADE DE CIÊNCIAS (FC) - BAURU - SP |
Local de Publicação: |
UNESP - BAURU |
Data de Publicação: |
2007 |
Área: |
MULTIDISCIPLINAR |
Área de Concentração: |
MATERIAIS |
Titulação: |
MESTRE(A) EM MATERIAIS |
Orientador: |
Dr. SILVA, JOSE HUMBERTO DIAS DA |
Banca Examinadora: |
♠ Dr. SILVA, JOSE HUMBERTO DIAS DA
♠ Dr. GRAEFF, CARLOS FREDERICO DE OLIVEIRA
♠ Dr. ZANATTA, ANTONIO RICARDO
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Data de Defesa: |
02/02/2007 |
Palavras-Chave (PT): |
♠ GAMNN
♠ NANOCRISTALINO
♠ SEMICONDUTOR MAGNÉTICO DILUÍDO
♠ SPUTTERING
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Resumo Original (PT): |
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A RECENTE DESCOBERTA DE PROPRIEDADES FERROMAGNÉTICAS EM ALGUNS
SEMICONDUTORES MAGNÉTICOS DILUÍDOS (DMS) TROUXE A ESTA CLASSE DE MATERIAIS UM
GRANDE POTENCIAL PARA APLICAÇÕES EM DISPOSITIVOS DE CONTROLE DE SPIN. UM DMS É
BASICAMENTE FORMADO POR UM SEMICONDUTOR DOPADO POR ÍONS MAGNÉTICOS, OS QUAIS
TÊM O PAPEL DE CRIAR UM MOMENTO MAGNÉTICO LOCAL E TAMBÉM, EM ALGUMAS SITUAÇÕES,
DE INTRODUZIR PORTADORES LIVRES NO MATERIAL. ENTRE OS DMSS CONHECIDOS, O GA1-XMNXN
SURGE COMO O MAIS FORTE CANDIDATO A APLICAÇÕES PRÁTICAS POR APRESENTAR ATÉ O
MOMENTO A MAIS ALTA TEMPERATURA DE TRANSIÇÃO FERROMAGNÉTICA (TC ~ 400 K). ATÉ O
PRESENTE, OS FILMES DE GA1-XMNXN COM PROPRIEDADES FERROMAGNÉTICAS RELATADOS NA
LITERATURA FORAM PREPARADOS POR EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR (MBE). NESTE TRABALHO,
DESCREVEMOS A PREPARAÇÃO DE FILMES NANOCRISTALINOS DE GA1-XMNXN COM DIFERENTES
CONTEÚDOS DE MN (0,00 < X < 0,18) PELA TÉCNICA DE RF-MAGNETRON SPUTTERING REATIVO.
ANALISAMOS OS EFEITOS DA INCORPORAÇÃO DE MN NA ESTRUTURA E NAS PROPRIEDADES
ÓPTICAS DESTES FILMES ATRAVÉS DE MEDIDAS DE DIFRAÇÃO DE RAIOS-X E DE ABSORÇÃO
ÓPTICA ENTRE O ULTRAVIOLETA (6,5 EV) E INFRAVERMELHO PRÓXIMO (1,4 EV). OS RESULTADOS
APONTAM UM AUMENTO DO PARÂMETRO DE REDE E DO ÍNDICE DE REFRAÇÃO, UMA DIMINUIÇÃO
DO GAP ÓPTICO E UM AUMENTO DA DENSIDADE DE ESTADOS DE DEFEITOS NO INTERIOR DO GAP
CONFORME SE AUMENTA O CONTEÚDO DE MN NOS FILMES DE GA1-XMNXN PREPARADOS POR
SPUTTERING. ESTES RESULTADOS SÃO SEMELHANTES AOS REPORTADOS PARA A INCORPORAÇÃO DE
MN EM FILMES MONOCRISTALINOS DE GA1-XMNXN COM PROPRIEDADES FERROMAGNÉTICAS
PREPARADOS POR MBE. |
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Título (EN): |
ENGLISH |
Palavras-Chave (EN): |
♠ DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTOR
♠ GAMNN
♠ NANOCRYSTALLINE
♠ SPUTTERING
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Resumo Original (EN): |
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THE RECENT DISCOVERIES RELATED TO THE FERROMAGNETIC PROPERTIES IN SOME
DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS (DMS) HAVE ATTRACTED CONSIDERABLE ATTENTION ON THIS
CLASS OF MATERIAL DUE TO THEIR POTENTIAL APPLICATION ON SPIN CONTROL DEVICES. A DMS IS
BASICALLY FORMED BY A SEMICONDUCTOR DOPED WITH MAGNETIC IONS WITH THE PURPOSE OF
CREATING LOCAL MAGNETIC MOMENTS AND, IN SOME SITUATIONS, TO INTRODUCE FREE CARRIERS IN
THE MATERIAL. AMONG THE KNOWN DMSS, GA1-XMNXN IS THE ONE WITH THE HIGHEST
FERROMAGNETIC TRANSITION TEMPERATURE (TC ~ 400 K), AND IT IS CONSEQUENTLY ONE OF THE
STRONGER CANDIDATES FOR PRACTICAL APPLICATIONS. UNTIL NOW, THE GA1-XMNXN FILMS WITH
FERROMAGNETIC PROPERTIES DESCRIBED IN THE LITERATURE WERE PREPARED BY MOLECULAR BEAM
EPITAXY (MBE). IN THIS WORK, WE REPORT THE PREPARATION OF NANOCRYSTALLINE GA1-XMNXN
FILMS (0.00 < X < 0.18) BY REACTIVE RF-MAGNETRON SPUTTERING TECHNIQUE. WE ANALYZED
THE MN INCORPORATION EFFECTS ON STRUCTURE AND OPTICAL PROPERTIES OF THE FILMS BY X-RAY
DIFFRACTION MEASUREMENTS AND OPTICAL ABSORPTION BETWEEN UV (6.5 EV) AND NEAR
INFRARED (1.4 EV). THE RESULTS SHOW THE INCREASE OF THE LATTICE PARAMETERS AND OF THE
REFRACTIVE INDEX, A DECREASE OF THE OPTICAL GAP AND AN INCREASE OF DEFECT STATES IN THE
GAP WHEN MN CONCENTRATION IS INCREASED. THESE RESULTS ARE SIMILAR TO THOSE REPORTED
FOR MN INCORPORATION IN MONOCRYSTALLINE GA1-XMNXN FILMS PREPARED BY MBE WITH
FERROMAGNETIC PROPERTIES. |
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Arquivo: |
DIS_MEST20070202_LEITE DOUGLAS MARCEL GONCALVES.pdf
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Tamanho: |
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Tempo Estimado Para Download: |
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Criado: |
21/02/2008 ÀS 09:16:49 |
Atualizado: |
21/02/2008 ÀS 09:16:49 |
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