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Biblioteca Virtual de Teses e Dissertações

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Resumo Original (PT):

ESTA TESE TEVE COMO FINALIDADE REALIZAR A SÍNTESE E A CARACTERIZAÇÃO DE ÓXIDO DE ZINCO DOPADO COM ALUMÍNIO (AZO) PARA A CONFECÇÃO DE ALVOS CERÂMICOS PARA SEREM UTILIZADOS NA DEPOSIÇÃO DE FILMES FINOS CONDUTIVOS (TCO) PELA TÉCNICA DE PULVERIZAÇÃO CATÓDICA. O ÓXIDO DE ZINCO DOPADO COM ALUMÍNIO FOI OBTIDO PELO MÉTODO PECHINI. A ESTRUTURAÇÃO DO MATERIAL, ATRAVÉS DE SEU PRECURSOR, DEU-SE PELO TRATAMENTO TÉRMICO EM AR. A CARATERIZAÇÃO DO MATERIAL OBTIDO FOI REALIZADA MEDIANTE AS TÉCNICAS DE ANÁLISES TÉRMICAS SIMULTÂNEAS (TG, DTG, DTA), DIFRAÇÃO DE RAIOS-X (DRX), REFINAMENTO ESTRUTURAL PELO MÉTODO DE RIETVELD (REMR), MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA (EDS) E ANÁLISE SEMI-QUANTITATIVA POR ENERGIA DE RAIOS-X (MEV). OS RESULTADOS MOSTRARAM QUE A ~600OC, O MATERIAL NA FORMA DE PÓ NANOESTRUTURADO, TEVE A ELIMINAÇÃO MAJORITÁRIA DE ORGÂNICOS DOS PRECURSORES COMO INDICADO PELAS ANÁLISES TÉRMICAS TG, DTG, DTA. POR VOLTA DESTA TEMPERATURA PODE-SE NOTAR, TAMBÉM, O INÍCIO DA ESTRUTURAÇÃO DA FASE CRISTALINA CONFIRMADO PELA ANÁLISE DE DIFRAÇÃO DE RAIOS-X. POR FIM, TRATAMENTOS ACIMA DE 1000OC PERMITIRAM A OBTENÇÃO DE ÓXIDOS COM ALTA CRISTALINIDADE, AUSÊNCIA DE FASES RESISTIVAS, ALÉM DA COMPLETA ELIMINAÇÃO DE ORGÂNICOS. ACIMA DE 1200OC HOUVE AUMENTO DA CONCENTRAÇÃO DE ALUMÍNIO DEVIDO A VOLATILIZAÇÃO DO ZINCO. O ALVO FOI CONFECCIONADO A PARTIR DE UMA SUSPENSÃO DE PÓ DE AZO EM ETILENOGLICOL QUE FOI DEPOSITADA EM DEMARCAÇÃO POR MÁSCARA SOBRE DISCO DE ALUMINA, RECEBENDO TRATAMENTO TÉRMICO PARA SINTERIZAÇÃO DOS GRÃOS. ESTE ALVO FOI UTILIZADO PARA A SÍNTESE DE FILMES FINOS SOBRE SUBSTRATOS DE VIDRO PELA TÉCNICA DA PULVERIZAÇÃO CATÓDICA. COM O ALVO OBTIDO, FOI POSSÍVEL REALIZAR A DEPOSIÇÃO DE FILMES FINOS DO TIPO TCO. OS FILMES FINOS FORAM CARACTERIZADOS POR MEDIDAS DE TRANSMITÂNCIA ÓPTICA NA REGIÃO DO ESPECTRO VISÍVEL, DRX, E TESTE DE CONDUTIVIDADE ELÉTRICA. OS RESULTADOS DE CARACTERIZAÇÃO MOSTRARAM QUE O ALVO CERÂMICO, OBTIDO PELO MÉTODO PECHINI, POSSIBILITOU O CRESCIMENTO DE FILMES FINOS DE BAIXA RESISTIVIDADE ELÉTRICA, COM VALORES PRÓXIMOS A 1.10-3 CM, ALÉM DE UMA ALTA TRANSMITÂNCIA (90%) CARACTERIZANDO-O COMO ÓXIDO CONDUTOR TRANSPARENTE.

Palavras-Chave (EN):

Resumo Original (EN):

THIS THESIS HAD INTENDED TO PERFORM THE SYNTHESIS AND CHARACTERIZATION OF ALUMINUM-DOPED ZINC OXIDE (AZO) FOR MAKING CERAMIC TARGETS FOR USE IN CONDUCTIVE THIN FILM DEPOSITION (TCO) BY SPUTTERING TECHNIQUE.THE ALUMINIUM-DOPED ZINC OXIDE WAS OBTAINED BY PECHINI METHOD. THE STRUCTURING OF THE MATERIAL, THROUGH ITS PRECURSOR, BY HEAT TREATMENT IN AIR. THE CHARACTERIZATION OF THE MATERIAL OBTAINED WAS PERFORMED BY SIMULTANEOUS THERMAL ANALYSIS TECHNIQUES (TG, DTG, DTA), X-RAY DIFFRACTION (XRD), STRUCTURAL REFINEMENT BY THE RIETVELD METHOD (REMR), SCANNING ELECTRON MICROSCOPY (EDS) AND SEMI-QUANTITATIVE ANALYSIS BY X-RAY ENERGY (MEV). THE RESULTS SHOWED THAT THE ~ 600OC, THE MATERIAL IN THE FORM OF NANOSTRUCTURED POWDER, HAD THE MAJORITY OF ORGANIC DISPOSAL OF PRECURSORS AS INDICATED BY THERMAL ANALYSIS TG, DTG, DTA. AROUND THIS TEMPERATURE CAN BE NOTED, TOO, THE BEGINNING OF THE STRUCTURE OF THE CRYSTALLINE PHASE CONFIRMED BY X-RAY DIFFRACTION ANALYSIS. FINALLY, ABOVE 1000ºC TREATMENTS ALLOWED THE OBTAINING OF OXIDES WITH HIGH CRYSTALLINITY, ABSENCE OF RESISTIVE PHASES, IN ADDITION TO THE COMPLETE ELIMINATION OF ORGANICS. UP TO 1200ºC ALUMINUM CONCENTRATION INCREASED DUE TO VOLATILIZATION OF ZINC. THE TARGET WAS MADE FROM A POWDER SUSPENSION OF AZO IN ETHYLENEGLYCOL THAT WAS DEPOSITED IN DEMARCATION FOR MASK OVER ALUMINA GETTING DISK HEAT TREATMENT FOR SINTERING OF GRAIN. THIS TARGET WAS USED FOR THE SYNTHESIS OF THIN FILMS ON GLASS SUBSTRATES BY CATHODIC SPRAYING TECHNIQUE. WITH THE TARGET, IT WAS POSSIBLE TO ACCOMPLISH THE THIN FILM DEPOSITION OF TYPE TCO. THE THIN FILMS WERE CHARACTERIZED BY OPTICAL TRANSMITTANCE MEASUREMENTS IN THE VISIBLE SPECTRUM, DRX, AND ELECTRICAL CONDUCTIVITY TEST. THE RESULTS OF CHARACTERIZATION SHOWED THAT THE CERAMIC TARGET, OBTAINED BY PECHINI METHOD, MADE POSSIBLE THE GROWTH OF THIN FILMS WITH LOW ELECTRICAL RESISTIVITY WITH VALUES NEAR THE 1.10-3 CM, PLUS A HIGH TRANSMITTANCE (90%) CHARACTERIZED AS TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE.

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