GRANDES AVANÇOS TECNOLÓGICOS NA ÁREA DE ELETRÔNICA VÊM SENDO ALCANÇADOS NOS ÚLTIMOS ANOS. COM ISSO HÁ UMA BUSCA POR DISPOSITIVOS CADA VEZ MELHORES, E POR SUA VEZ CADA VEZ MENORES, COMO POR EXEMPLO AS GRANDES MÁQUINAS QUE SE TRANSFORMARAM EM DISPOSITIVOS MICROSCÓPICOS. ASSIM, A BUSCA POR DISPOSITIVOS UTILIZANDO MOLÉCULAS ORGÂNICAS REVOLUCIONOU AINDA MAIS ESTE SETOR, SURGINDO A ELETRÔNICA ORGÂNICA. NESTE CONTEXTO, OS ESTUDOS ENVOLVENDO FILMES FINOS SE MOSTRARAM BASTANTE PROMISSORES, DEVIDO A SUA ALTA CAPACIDADE DE ORGANIZAÇÃO, A FABRICAÇÃO DE FILMES EM ESCALAS NANOMÉTRICAS, ENTRE OUTRAS VANTAGENS. NESTE TRABALHO FORAM UTILIZADOS DERIVADOS ALQUILADOS DE POLITIOFENOS (P3ATS) REGIOIRREGULARES (RI). DEVIDO A DESORGANIZAÇÃO MOLECULAR ESTES POLITIOFENOS AINDA SÃO POUCO ESTUDADOS. NESTE CONTEXTO ESTE TRABALHO TEVE COMO OBJETIVO FABRICAR FILMES MISTOS LANGMUIR-BLODGETT (LB) DE DERIVADOS ALQUILADOS DE POLITIOFENO REGIOIRREGULARES (RR) COM ÁCIDO ESTEÁRICO (STEARIC ACID, SA), AFIM DE OBTER FILMES DE BOA QUALIDADE EM RELAÇÃO A SUAS PROPRIEDADES ELÉTRICAS. POR POSSUIR UM CARÁTER ANFIFÍLICO, ESTA MOLÉCULA É MUITO USADA COMO REFERÊNCIA NA FABRICAÇÃO DE FILMES LANGMUIR. ESTA TÉCNICA FOI ESCOLHIDA POR POSSUIR UM ALTO CONTROLE DE CRESCIMENTO E ORGANIZAÇÃO DESTES FILMES, PODENDO ASSIM SER INVESTIGADO COMO A ORGANIZAÇÃO PROPORCIONADA PELA TÉCNICA INFLUENCIA NA REGIOIRREGULARIDADE DAS MOLÉCULAS. FORAM FABRICADOS FILMES LB DE POLI(3-BUTILTIOFENO), POLI(3-OCTILTIOFENO) E DE POLI(3-DODECTILTIOFENO) MISTURADOS EM DIFERENTES PROPORÇÕES DE ÁCIDO ESTEÁRICO, POIS OS MESMOS, APESAR DE POSSÍVEL, NÃO POSSUEM UMA BOA DEPOSIÇÃO EM SUA FORMA PURA. FORAM ANALISADAS AS ISOTERMAS DE PRESSÃO DOS FILMES DE LANGMUIR DESTES DERIVADOS PARA DETERMINAÇÃO DOS PARÂMETROS DE DEPOSIÇÃO. ALÉM DISSO, FOI POSSÍVEL CONSTATAR UMA MELHORA NA QUALIDADE DA DEPOSIÇÃO DOS FILMES EM RELAÇÃO A QUANTIDADE DE SA INSERIDOS NA SOLUÇÃO. OS FILMES LB FORAM CRESCIDOS EM DOIS DIFERENTES TIPOS DE SUBSTRATOS, OS ELETRODOS INTERDIGITADOS DE OURO (INTERDIGITED ELECTRODES, IDES) E O ITO (INDIUM-TIN OXIDE) PARA REALIZAÇÃO DAS MEDIDAS ELÉTRICAS. ATRAVÉS DESTAS MEDIDAS FOI POSSÍVEL CALCULAR VALORES PARA A CONDUTIVIDADE DESTES P3ATS. ATRAVÉS DESTES VALORES FOI POSSÍVEL CONSTATAR QUE HÁ UMA PORCENTAGEM IDEAL DE MISTURA ENTRE AS MOLÉCULAS DE SA E P3AT PARA OBTER UMA BOA RESPOSTA ELÉTRICA. |
