| TESE DE DOUTORADO |
Título Original (PT): |
ESTADOS DE IMPUREZAS EM SEMICONDUTORES E NANOESTRUTURAS SOB CAMPOS EXTERNOS |
Autor: |
DE SOUZA, GUSTAVO VANIN BERNARDINO |
Email: |
vanin@fc.unesp.br |
Instituição: |
UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO (UNESP) - BRASIL |
Unidade: |
FACULDADE DE CIÊNCIAS (FC) - BAURU - SP |
Local de Publicação: |
UNESP |
Data de Publicação: |
2014 |
Área: |
MULTIDISCIPLINAR |
Área de Concentração: |
MATERIAIS |
Titulação: |
DOUTOR(A) EM MATERIAIS |
Orientador: |
Dr. ALFONSO, ALEXYS BRUNO |
Co-Orientador: |
Dr. LEWIS, ROGER ADRIAN |
Banca Examinadora: |
♠ Dr. MALVEZZI, ANDRE LUIZ
♠ Dr. ALFONSO, ALEXYS BRUNO
♠ Dr. SARDELLA, EDSON
♠ Dr. ARANTES JUNIOR, JEVERSON TEODORO
♠ Dr. HAI, GUO-QIANG
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Data de Defesa: |
01/12/2014 |
Palavras-Chave (PT): |
♠ APROXIMAÇÃO DE MASSA EFETIVA
♠ CAMPO ELÉTRICO
♠ CAMPO MAGNÉTICO
♠ IMPUREZAS RASAS
♠ MÉTODO DAS DIFERENÇAS FI NITAS
♠ MÉTODO VARIACIONAL
♠ POÇO QUÂNTICO
♠ PONTO QUÂNTICO
♠ SEMICONDUTOR
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Resumo Original (PT): |
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SÃO CALCULADOS E ANALISADOS OS ESTADOS ESTACIONÁRIOS DE ELÉTRONS LIGADOS A IMPUREZAS EM MATERIAIS SEMICONDUTORES E NANOESTRUTURAS. OS ESTADOS ELETRÔNICOS SÃO DESCRITOS MEDIANTE A APROXIMAÇÃO DE MASSA EFETIVA. A EQUAÇÃO DE MASSA EFETIVA É RESOLVIDA NUMÉRICA E COMPUTACIONALMENTE, COMBINANDO O USO DO MÉTODO VARIACIONAL E DO MÉTODO DE DIFERENÇAS FINITAS. OS CÁLCULOS REFEREM-SE A UMA IMPUREZA DOADORA RASA NOS SEGUINTES SISTEMAS: (1) UM PONTO QUÂNTICO ESFÉRICO SOB CAMPOS MAGNÉTICO E ELÉTRICO, INCLUINDO A ESTRUTURA CDSE/ZNS/CDSE/SIO2; (2) UM POÇO QUÂNTICO ULTRAFINO SOB CAMPO MAGNÉTICO, FOCANDO OS ESTADOS LIGADOS DE DOIS ELÉTRONS E (3) SILÍCIO SOB CAMPO MAGNÉTICO. OS RESULTADOS SÃO COMPARADOS COM OS DE OUTROS TRABALHOS TEÓRICOS DISPONÍVEIS NA LITERATURA E COM DADOS EXPERIMENTAIS RECENTES. OS ELEMENTOS DE MATRIZ NECESSÁRIOS NO CÁLCULO VARIACIONAL E AS CONDIÇÕES DE FRONTEIRA UTILIZADAS NO MÉTODO DE DIFERENÇAS FINITAS SÃO APRESENTADOS DE FORMA DETALHADA. |
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Título (EN): |
SHALLOW-IMPURITY STATES IN SEMICONDUCTORS AND NANOSTRUCTURES SUBJECT TO EXTERNAL FIELDS |
Palavras-Chave (EN): |
♠ EFFECTIVE MASS APPROXIMATION
♠ ELECTRIC FI ELD
♠ FINITE-DIFFERENCE METHOD
♠ MAGNETIC FI ELD
♠ QUANTUM DOT
♠ QUANTUM WELL
♠ SEMICONDUCTOR
♠ SHALLOW IMPURITIES
♠ VARIATIONAL METHOD
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Resumo Original (EN): |
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THE BOUND ELETRONIC STATES OF IMPURITIES IN DIFFERENT SYSTEMS BASED ON SEMICONDUCTOR MATERIALS ARE CALCULATED AND ANALYZED. THE ELECTRONIC STATES ARE DESCRIBED BY USING THE EFFECTIVE-MASS APPROXIMATION. THE EFFECTIVE-MASS EQUATION IS SOLVED BY NUMERICAL AND COMPUTATIONAL TECHNIQUES, COMBINING VARIATIONAL APPROACHES AND THE FINITE-DIFFERENCE METHOD. THE CALCULATIONS ARE PERFORMED FOR A SHALLOW-DONOR IMPURITY IN THE FOLLOWING SYSTEMS: (1) A SPHERICAL QUANTUM DOT UNDER ELECTRIC AND MAGNETIC FIELDS, INCLUDING THE STRUCTURE CDSE/ZNS/CDSE/SIO2; (2) AN ULTRA-THIN QUANTUM WELL SUBJECT TO A MAGNETIC FIELD, FOCUSING THE BOUND STATES OF TWO ELECTRONS AND (3) SILICON UNDER A MAGNETIC FIELD. THE RESULTS ARE COMPARED WITH THOSE IN THEORETICAL WORKS AVAILABLE IN THE LITERATURE AND WITH RECENT EXPERIMENTAL DATA. THE MATRIX ELEMENTS REQUIRED IN THE VARIATIONAL CALCULATIONS AND THE BOUNDARY CONDITIONS USED IN THE FINITE-DIFFERENCE SCHEME ARE GIVEN. |
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Arquivo: |
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Criado: |
05/01/2015 ÀS 09:57:56 |
Atualizado: |
05/01/2015 ÀS 09:57:56 |
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