| TESE DE DOUTORADO |
Título Original (PT): |
ESTUDO DAS PROPRIEDADES ÓPTICAS E VIBRACIONAIS DE FILMES DE GAN DOPADOS COM MN ELABORADOS POR RF MAGNETRON SPUTTERING REATIVO |
Autor: |
FERREIRA, GUILHERME |
Email: |
guilherme_fis@hotmail.com |
Instituição: |
UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO (UNESP) - BRASIL |
Unidade: |
FACULDADE DE CIÊNCIAS (FC) - BAURU - SP |
Local de Publicação: |
BAURU |
Data de Publicação: |
2014 |
Área: |
MULTIDISCIPLINAR |
Área de Concentração: |
MATERIAIS |
Titulação: |
DOUTOR(A) EM MATERIAIS |
Orientador: |
Dr. TABATA, AMERICO SHEITIRO |
Banca Examinadora: |
♠ Dr. SCALVI, LUIZ VICENTE ANDRADE
♠ Dr. TABATA, AMERICO SHEITIRO
♠ Drª. SANTOS, DAYSE IARA DOS
♠ Dr. LEVINE, ALEXANDRE
♠ Dr. DOS ANJOS, VIRGILIO DE CARVALHO
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Data de Defesa: |
27/05/2014 |
Palavras-Chave (PT): |
♠ GA1−XMNXN
♠ GAN
♠ SEMICONDUTOR MAGNÉTICO DILUÍDO
♠ SPUTTERING
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Resumo Original (PT): |
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O NITRETO DE GÁLIO (GAN) TÊM RECEBIDO GRANDE ATENÇÃO NOS ÚLTIMOS ANOS DEVIDO A SUA
POSSÍVEL APLICAÇÃO EM SEMICONDUTOR MAGNÉTICO DILUÍDO (DMS) PELA INCORPORAÇÃO DE ÍONS
COMO O MANGANÊS (MN). NO ENTANTO, A PREPARAÇÃO DESTES TIPOS DE AMOSTRAS TEM SIDO
CONSEGUIDA NOS ÚLTIMOS ANOS USANDO EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR (?MOLECULAR BEAM
EPITAXY?, MBE) E DEPOSIÇÃO DE VAPOR QUÍMICO COM PRECURSORES METALORGÂNICOS (?METAL
ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION?, MOCVD), QUE SÃO TÉCNICAS DE CRESCIMENTO MUITO
CARAS E NECESSITAM DE CONDIÇÕES ESPECIAIS DE SUBSTRATO, TAL COMO ALTA TEMPERATURA DE
CRESCIMENTO. UMA ALTERNATIVA É A UTILIZAÇÃO DE TÉCNICAS DE CRESCIMENTO COMO O ?SPUTTERING?.
A VANTAGEM DESTA TÉCNICA DE ?SPUTTERING? É O BAIXO CUSTO E A POSSIBILIDADE DE CRESCIMENTO DE
FILME EM TEMPERATURA RELATIVAMENTE BAIXA. NESTE TRABALHO, FORAM REALIZADAS MEDIDAS DE
FOTOLUMINESCÊNCIA, ESPECTROSCOPIA RAMAN E ESPECTROSCOPIA NO INFRAVERMELHO NOS FILMES DE
GA1−XMNXN E GAN OBTIDOS POR RF MAGNETRON SPUTTERING REATIVO. OS ESPECTROS DE
FOTOLUMINESCÊNCIA PROPORCIONARAM O ENTENDIMENTO DA CONCENTRAÇÃO MÁXIMA DE MN
INCORPORADO NOS FILMES DE GA1−XMNXN. AINDA, OS DADOS REVELARAM A PRESENÇA DE EMISSÕES DE
FOTOLUMINESCÊNCIA EM APROXIMADAMENTE 3,31 EV ATRIBUÍDA À INCORPORAÇÃO DE MN, EM
APROXIMADAMENTE 3,35 EV ATRIBUÍDA À CONTAMINAÇÃO POR HIDROGÊNIO E EM 3,36 EV ATRIBUÍDA A
ÉXCITON LIGADO A FALHA DE EMPILHAMENTO. OS DADOS DE FOTOLUMINESCÊNCIA SÃO CONSISTENTES COM
OS DADOS DE ESPECTROSCOPIA RAMAN QUE MOSTRAM O EFEITO DA TENSÃO SOBRE OS MODOS
VIBRACIONAIS COM O AUMENTO DA CONCENTRAÇÃO DE MN. ISTO OCORRE DEVIDO À DIFERENÇA DE RAIO
IÔNICO DO MN EM RELAÇÃO AO GA QUE GERA TENSÃO NA ESTRUTURA DO CRISTAL. ESTES RESULTADOS
PROPORCIONAM UM MELHOR ENTENDIMENTO DO PROCESSO DE CRESCIMENTO DE FILMES DE GAN E
GA1−XMNXN POR RF MAGNETRON SPUTTERING REATIVO. |
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Título (EN): |
NÃO CONSTA |
Palavras-Chave (EN): |
♠ DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTOR
♠ GA1−XMNXN
♠ GAN
♠ SPUTTERING
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Resumo Original (EN): |
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GALLIUM NITRIDE (GAN) HAS GAINED AN UNPRECEDENTED ATTENTION IN THE LAST YEARS DUE TO
THEIR POSSIBLE APPLICATION IN DILUTE MAGNETIC SEMICONDUCTOR (DMS) BY INCORPORATION OF IONS
LIKE MN. HOWEVER, THE PREPARATION OF THESE SAMPLES IS VERY COMPLICATED AND HAS BEEN
ACHIEVED ONLY IN THE PAST FEW YEARS BY USING MOLECULAR BEAM EPITAXY AND METAL ORGANIC
CHEMICAL VAPOR DEPOSITION, WICH ARE VERY EXPENSIVE TECHNIQUES AND REQUIRE SPECIAL CONDITION
LIKE HIGH TEMPERATURE OF GROWTH. ONE ALTERNATIVE ROUTE IS TO USE GROWTH TECHNIQUES LIKE
REACTIVE MAGNETRON SPUTTERING. THE ADVANTAGE OF SPUTTERING TECHNIQUE IS THE LOW COST AND THE
POSSIBILITY TO GROW FILM AT RELATIVELY LOW TEMPERATURE. IN THIS WORK, WE PERFORM MEASUREMENTS
OF PHOTOLUMINESCENCE, RAMAN SPECTROSCOPY AND INFRARED SPECTROSCOPY IN GA1−XMNXN AND
GAN FILMS OBTAINED BY RF REACTIVE MAGNETRON SPUTTERING. THE PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA
HAVE PROVIDED THE UNDERSTANDING OF THE MAXIMUM MN CONCENTRATION IN GA1−XMNXN FILMS. IN
ADDITION, THE DATA REVEALED THE PRESENCE OF PHOTOLUMINESCENCE EMISSION, AROUND 3.31 EV
ASSIGNED BY INCORPORATION OF MN, AROUND 3.35 EV ASSIGNED BY HYDROGEN AND 3.36 EV ASSIGNED
BY EXCITON BOUND TO STACKING FAULTS. THE PHOTOLUMINESCENCE DATA IS CONSISTENT WITH RAMAN
SPECTROSCOPY DATA THAT SHOW THE TENSION EFFECT AT THE VIBRATIONAL MODES WITH INCREASING MN
CONCENTRATION. THIS IS DUE TO THE DIFFERENCE IN IONIC RADIUS OF MN RELATIVE TO GA THAT GENERATES
TENSIONS IN THE CRYSTAL LATTICE. THESE RESULTS ALLOW UNDERSTANDING THE GROWTH PROCESS OF GAN
AND GA1−XMNXN FILMS BY RF REACTIVE MAGNETRON SPUTTERING. |
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Arquivo: |
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Tamanho: |
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Tempo Estimado Para Download: |
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Criado: |
03/09/2014 ÀS 14:41:20 |
Atualizado: |
03/09/2014 ÀS 14:41:20 |
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02/05/2024 ÀS 03:08:07 |
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