| DISSERTAÇÃO DE MESTRADO |
Título Original (PT): |
EFEITO DA PRESSÃO EM FILMES FINOS DE ZNO:AL POR RF MAGNETRON SPUTTERING REATIVO |
Autor: |
CHAVES, MICHEL |
Email: |
michelchavesjunior@hotmail.com |
Instituição: |
UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO (UNESP) - BRASIL |
Unidade: |
UNIDADE DE SOROCABA (---) - SOROCABA - SP |
Local de Publicação: |
BAURU - SOROCABA |
Data de Publicação: |
2014 |
Área: |
MULTIDISCIPLINAR |
Área de Concentração: |
MATERIAIS |
Titulação: |
MESTRE(A) EM MATERIAIS |
Orientador: |
Dr. BORTOLETO, JOSÉ ROBERTO RIBEIRO |
Banca Examinadora: |
♠ Dr. SILVA, JOSE HUMBERTO DIAS DA
♠ Dr. BORTOLETO, JOSÉ ROBERTO RIBEIRO
♠ Drª. DE OLIVEIRA DELGADO, ADRIANA
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Data de Defesa: |
16/07/2014 |
Palavras-Chave (PT): |
♠ MORFOLOGIA SUPERFICIAL
♠ ÓXIDO DE ZINCO
♠ RESISTIVIDADE ELÉTRICA
♠ RF MAGNETRON SPUTTERING
♠ TRANSMITÂNCIA ÓPTICA
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Resumo Original (PT): |
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FILME FINOS DE AZO FORAM SINTETIZADOS SOBRE SUBSTRATOS DE VIDRO UTILIZANDO UM ALVO DE ZN-AL (5% AT AL) COM 99,999% DE PUREZA ATRAVÉS DA TÉCNICA RF MAGNETRON SPUTTERING REATIVO A TEMPERATURA AMBIENTE. AS PROPRIEDADES ESTRUTURAIS, ELÉTRICAS, ÓPTICAS E MORFOLÓGICAS FORAM INVESTIGADAS EM FUNÇÃO DA VARIAÇÃO DA PRESSÃO DE ARGÔNIO NO INTERVALO DE 10 A 50 MTORR. AS ANÁLISES DE DRX REVELARAM QUE OS FILMES OBTIDOS SÃO POLICRISTALINOS COM ESTRUTURA HEXAGONAL WURTZITA E ORIENTAÇÃO PREFERENCIAL NO PLANO (002). ALÉM DISSO, MOSTROU QUE O AUMENTO DA PRESSÃO, REDUZIU OS VALORES TENSÃO E OCASIONOU O AUMENTO DA PRESENÇA DE VAZIOS ENTRE OS GRÃOS. PARA TODOS OS FILMES FINOS OBTIDOS AS MEDIDAS DE TRANSMITÂNCIA ÓPTICA APRESENTARAM VALORES ACIMA DE 80% NA REGIÃO VISÍVEL DO ESPECTRO ENTRE 500-700 NM. JÁ OS VALORES DE GAP ÓPTICO DECRESCERAM DE 3,68 PARA 3,55 EV COM O AUMENTO DA PRESSÃO. O FILME SINTETIZADO A 10 MTORR APRESENTOU OS MELHORES RESULTADOS EM TERMOS DE DENSIDADE DE PORTADORES E MOBILIDADE ELÉTRICA, SENDO OS VALORES 2,68 X 1020 CM-3 E 3,0 CM2/VS, RESPECTIVAMENTE. |
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Título (EN): |
PRESSURE EFFECT ON THE ZNO:AL THIN FILMS BY REACTIVE RF MAGNETRON SPUTTERING |
Palavras-Chave (EN): |
♠ ELECTRICAL RESISTIVITY
♠ OPTICAL TRANSMITTANCE
♠ RF MAGNETRON SPUTTERING
♠ SURFACE MORPHOLOGY
♠ ZINC OXIDE
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Resumo Original (EN): |
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ALUMINUM ZINC OXIDE (AZO) THIN FILMS WERE SYNTHESIZED ON GLASS SUBSTRATES BY RADIOFREQUENCY (RF) MAGNETRON SPUTTERING OF A ZN-AL (5 AT% AL) TARGET OF 99.999% PURITY AT AMBIENT TEMPERATURE. THE STRUCTURAL, ELECTRICAL, OPTICAL AND MORPHOLOGICAL PROPERTIES OF THE FILMS WERE INVESTIGATED AS A FUNCTION OF THE ARGON PRESSURE, WHICH WAS VARIED FROM 10 TO 50 MTORR. X?RAY DIFFRACTION (XRD) ANALYSES REVEALED THAT THE FILMS OBTAINED ARE POLYCRYSTALLINE WITH A HEXAGONAL WURTZITE STRUCTURE WITH A PREFERENTIAL ORIENTATION IN THE (002) PLANE. IN ADDITION, IT WAS SHOWN THAT AN INCREASE IN PRESSURE REDUCED THE TENSION AND PRODUCED AN INCREASE IN THE INTER-GRAIN SPACES. FOR ALL OF THE FILMS PRODUCED OPTICAL TRANSMISSION WAS ABOVE 80% IN THE VISIBLE REGION (WAVELENGTH BETWEEN 500 NM AND 700 NM). AS THE SYSTEM PRESSURE WAS INCREASED THE OPTICAL GAP FELL FROM 3.68 TO 3.55 EV. THE FILM SYNTHESIZED AT 10 MTORR PRESENTED THE BEST RESULTS IN TERMS OF THE CARRIER DENSITY AND ELECTRICAL MOBILITY, WHICH WERE 2.68 X 1020 CM-3 AND 3.0 CM2/VS, RESPECTIVELY. |
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Arquivo: |
DIS_MEST20140716_CHAVES MICHEL.pdf
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Tamanho: |
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Tempo Estimado Para Download: |
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Criado: |
03/09/2014 ÀS 14:31:42 |
Atualizado: |
03/09/2014 ÀS 14:31:42 |
Visitas: |
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Última Visita em : |
24/04/2024 ÀS 02:23:23 |
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