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Biblioteca Virtual de Teses e Dissertações

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Palavras-Chave (PT):

Resumo Original (PT):

CONSIDERANDO A CRESCENTE DEMANDA POR ENERGIA ELÉTRICA E AS MUDANÇAS AMBIENTAIS CAUSADAS PELA UTILIZAÇÃO DE FONTES ENERGÉTICAS NÃO RENOVÁVEIS, A ENERGIA SOLAR APRESENTA-SE COMO UMA BOA ALTERNATIVA AOS COMBUSTÍVEIS FÓSSEIS. DENTRE OS DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS, AS CÉLULAS SOLARES SENSIBILIZADAS (DSSC?S) UTILIZAM MATERIAIS ABUNDANTES NA NATUREZA E DE BAIXO CUSTO. NO ENTANTO, É NECESSÁRIO UM APERFEIÇOAMENTO DAS MESMAS PARA AUMENTAR SUA EFICIÊNCIA E TORNÁ-LAS COMERCIALIZÁVEIS. PARA SE OBTER UMA BOA EFICIÊNCIA NO DISPOSITIVO, É TAMBÉM ESSENCIAL UM CONTROLE DAS PROPRIEDADES ESTRUTURAIS E ÓPTICAS DOS SEMICONDUTORES EMPREGADOS. NESTES DISPOSITIVOS, O DIÓXIDO DE TITÂNIO É UTILIZADO COMO SEMICONDUTOR NAS DSSC?S POR POSSUIR UM BAND GAP LARGO QUE ABSORVE LUZ EM COMPRIMENTOS DE ONDA CAPAZES DE GERAR PARES ELÉTRON-BURACO. JÁ O ÓXIDO DE ZINCO É EMPREGADO COMO ÓXIDO SEMICONDUTOR TRANSPARENTE POR APRESENTAR ALTO GRAU DE TRANSMITÂNCIA ÓPTICA. FILMES FINOS DE TIO2 E ZNO FORAM SINTETIZADOS PELA TÉCNICA SOL-GEL E DEPOSITADOS POR SPIN-COATING EM SUBSTRATOS DE VIDRO COM A FINALIDADE DE ESTUDAR AS CONDIÇÕES DE DEPOSIÇÃO E INVESTIGAR SUAS PROPRIEDADES ESTRUTURAIS E ÓPTICAS. OS ESPÉCIMES PREPARADOS FORAM CARACTERIZADOS POR DIFRAÇÃO DE RAIOS X, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA, MICROSCOPIA ÓPTICA CONFOCAL, MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA E ESPECTROSCOPIA NA REGIÃO DO UV-VIS. AS ANÁLISES ESTRUTURAIS MOSTRARAM QUE A CONCENTRAÇÃO DE SURFACTANTE, OS PARÂMETROS DE DEPOSIÇÃO DOS FILMES E AS TEMPERATURAS DE TRATAMENTO TÉRMICO EMPREGADAS TÊM GRANDE INFLUÊNCIA SOBRE ALGUMAS PROPRIEDADES DOS FILMES, SEDO ESTAS A ADERÊNCIA DOS FILMES NO SUBSTRATO VÍTREO, A FASE CRISTALINA FORMADA, O TAMANHO DE PARTÍCULA E A UNIFORMIDADE SUPERFICIAL DOS FILMES. OS ESTUDOS ÓPTICOS DOS FILMES DE ZNO APRESENTARAM UM VALOR DE BAND GAP EM ACORDO COM OS DA LITERATURA (3,3 EV) E TRANSMITÂNCIA ACIMA DE 80%. JÁ OS FILMES DE TIO2 APRESENTARAM ABSORÇÃO EM TORNO DE 400 NM E UM VALOR DE BAND GAP ELEVADO PARA A FASE CRISTALINA ANATASE, 4,1 EV, DEVIDO À PRESENÇA DE FASE BROOKITA. PARA O FILME TIO2-ZNO O BAND GAP APRESENTOU O MESMO VALOR DE 4,1 EV.

Palavras-Chave (EN):

Resumo Original (EN):

CONSIDERING THE RISING DEMAND FOR ELECTRICITY AND THE ENVIRONMENTAL CHANGES CAUSED BY THE USE OF NON-RENEWABLE ENERGY SOURCES, SOLAR ENERGY IS PRESENTED AS A GOOD ALTERNATIVE TO FOSSIL FUELS. AMONG THE PHOTOVOLTAIC DEVICES, DYE SENSITIZED SOLAR CELLS (DSSC'S) USE ABUNDANT IN NATURE AND LOW COST MATERIALS. NEVERTHELESS, IS NECESSARY TO IMPROVE THE DSSC?S BY INCREASING THEIR EFFICIENCY AND MAKING THEM MARKETABLE. TO OBTAIN A GOOD EFFICIENCY IN THE DEVICE, IT IS ALSO ESSENTIAL TO CONTROL THE STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF THE SEMICONDUCTORS EMPLOYED. IN THESE DEVICES, THE TITANIUM DIOXIDE IS USED AS A SEMICONDUCTOR PRESENTING A WIDE BAND-GAP WHICH ABSORBS LIGHT AT WAVELENGTHS CAPABLE OF GENERATING ELECTRON-HOLE PAIRS. ZINC OXIDE IS APPLIED AS A TRANSPARENT CONDUCTOR OXIDE WHICH HAS HIGH OPTICAL TRANSMITTANCE. THIN FILMS OF TIO2 AND ZNO WERE SYNTHESIZED BY SOL-GEL ROUTE AND DEPOSITED BY SPIN-COATING TECHNIQUE ON GLASSY SUBSTRATES IN ORDER TO STUDY THE DEPOSITION CONDITIONS AND INVESTIGATE THEIR STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES. THE SPECIMENS WERE CHARACTERIZED BY X-RAY DIFFRACTION, SCANNING ELECTRON MICROSCOPY, CONFOCAL OPTICAL MICROSCOPY, ATOMIC FORCE MICROSCOPY AND SPECTROSCOPY IN THE UV-VIS. STRUCTURAL ANALYSIS SHOWED THAT THE SURFACTANT CONCENTRATION, THE PARAMETERS OF THE FILM DEPOSITION AND THE HEAT TREATMENT TEMPERATURES EMPLOYED HAD A MAJOR INFLUENCE ON THE ADHESION OF THE FILMS AT THE GLASSY SUBSTRATE, ON THE CRYSTAL PHASE FORMED, ON THE PARTICLE SIZE AND ON THE HOMOGENEITY OF THE FILM SURFACE. THE OPTICAL STUDIES OF ZNO SHOWED A BAND GAP VALUE CONSISTENT WITH THE LITERATURE (3.3 EV) AND TRANSMITTANCE ABOVE 80%. TIO2 FILMS EXHIBITED ABSORPTION AROUND 400 NM AND A HIGH BAND GAP FOR THE ANATASE CRYSTALLINE PHASE OF 4.1 EV, DUE TO THE PRESENCE OF BROOKITE PHASE. TIO2-ZNO FILMS PRESENTED THE SAME VALUES FOR TIO2 FILMS OF 4.1 EV.

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