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Detalhes do Documento


DISSERTAÇÃO DE MESTRADO
Título Original (PT):
INVESTIGAÇÃO ÓPTICA DE PONTOS QUÂNTICOS DE INAS CONFINADOS EM POÇOS QUÂNTICOS DE IN0,15GA0,85AS
Autor:
TAVARES DOS SANTOS, KATIELLY
Email:
tavareskati@onda.com.br
Instituição:
UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO (UNESP) - BRASIL
Unidade:
FACULDADE DE CIÊNCIAS (FC) - BAURU - SP
Local de Publicação:
BAURU
Data de Publicação:
2014
Área:
MULTIDISCIPLINAR
Área de Concentração:
MATERIAIS
Titulação:
MESTRE(A) EM MATERIAIS
Orientador:
Dr. BARRETO DE OLIVEIRA, JOSÉ BRÁS
Banca Examinadora:
Dr. SILVA, JOSE HUMBERTO DIAS DA
Drª. DA SILVA, EUZI CONCEIÇAO FERNANDES
Dr. BARRETO DE OLIVEIRA, JOSÉ BRÁS
Data de Defesa:
14/02/2014
Palavras-Chave (PT):
DINÂMICA DE PORTADORES
ESTRUTURAS DWELL
HETEROESTURURAS SEMICONDUTORAS
PONTOS QUÂNTICOS
Resumo Original (PT):
ESTRUTURAS DOT-IN-A-WELL (DWELL) TÊM SIDO EXTENSIVAMENTE ESTUDADAS NOS ÚLTIMOS ANOS DEVIDO A SUA RELEVÂNCIA PARA A FABRICAÇÃO DE DISPOSITIVOS ÓPTICOS E ELETRÔNICOS, EM ESPECIAL OS FOTODETECTORES E LASERS DE ALTO DESEMPENHO. INSERIR PONTOS QUÂNTICOS (QDS) EM POÇOS QUÂNTICOS (QWS) AUMENTA A DENSIDADE DOS PONTOS QUÂNTICOS QUE, SOMADO AO CONFINAMENTO ADICIONAL FORNECIDO PELO POÇO QUÂNTICO, RESULTA EM EFICIÊNCIA ÓPTICA ELEVADA. MUITOS TRABALHOS SE DEDICAM AO ESTUDO DA DINÂMICA DOS PORTADORES, A FIM DE COMPREENDER MELHOR O FUNCIONAMENTO DOS DISPOSITIVOS, PRINCIPALMENTE EM ALTAS TEMPERATURAS. EM NOSSO ESTUDO, AS AMOSTRAS DWELL, EM QUE OS PONTOS DE INAS SÃO CONFINADOS EM POÇOS DE INGAAS, FORAM CRESCIDAS SOBRE UM SUBSTRATO DE GAAS POR EPITAXIA DE FEIXE MOLECULAR (MBE) E ANALISADAS A PARTIR DE MEDIDAS DE FOTOLUMINESCÊNCIA (PL). OS PONTOS QUÂNTICOS FORAM OBTIDOS PELO MÉTODO DE STRANSKI-KRASTANOV. PARA REALIZAR AS MEDIDAS DE PL FOI UTILIZADO UM MONOCROMADOR JOBIN YVON T64000. AS AMOSTRAS FORAM INSERIDAS EM UM CRIOSTATO DA JANIS, COM CIRCUITO FECHADO DE HE, E EXCITADAS POR UM LASER DE AR+. O SINAL DA PL, DEPOIS DE ESPALHADO, FOI DETECTADO POR UM DETECTOR DE GE E REGISTRADO USANDO UM AMPLIFICADOR LOCK-IN. NOS ESPECTROS DE EMISSÃO FORAM IDENTIFICADOS TRÊS PICOS EM MEDIDAS COM ALTA POTÊNCIA DE EXCITAÇÃO E BAIXA TEMPERATURA. OS RESULTADOS DAS MEDIDAS DE PL EM FUNÇÃO DA POTÊNCIA DE EXCITAÇÃO INDICARAM QUE SE TRATAVA DE TRANSIÇÕES ENTRE NÍVEIS CONFINADOS NOS QDS. NÃO FOI IDENTIFICADO COMPORTAMENTO BI-MODAL NO CRESCIMENTO DOS PONTOS QUÂNTICOS NAS AMOSTRAS ANALISADAS. OS RESULTADOS DAS MEDIDAS DE PL, PARA DIFERENTES REGIMES DE EXCITAÇÃO, MOSTRARAM QUE EM TODAS AS TRANSIÇÕES ÓPTICAS INVESTIGADAS HÁ ÉXCITONS ENVOLVIDOS E AS RECOMBINAÇÕES NÃO RADIATIVAS SÃO INSIGNIFICANTES. OS GRÁFICOS DE INTENSIDADE DA PL INTEGRADA EM FUNÇÃO DO INVERSO DA TEMPERATURA POSSIBILITARAM ENCONTRAR AS DIFERENTES FAIXAS DE TEMPERATURA E AS ENERGIAS DE ATIVAÇÃO ASSOCIADAS AOS PROCESSOS DE ESCAPE TÉRMICO DOS PORTADORES. OS PROCESSOS DE ESCAPE IDENTIFICADOS FORAM: DO PONTO PARA A BARREIRA DE GAAS, DO PONTO PARA O POÇO, DO POÇO PARA A BARREIRA DE GAAS E DO POÇO PARA UMA REGIÃO DE DEFEITOS NA INTERFACE COM A BARREIRA DE GAAS. O DESLOCAMENTO DA EMISSÃO PARA BAIXAS ENERGIAS FOI ANALISADO EM FUNÇÃO DA TEMPERATURA E OS RESULTADOS INTERPRETADOS, CONSIDERANDO A REALOCAÇÃO DOS PORTADORES, ENTRE OS PONTOS QUÂNTICOS. O TRABALHO NO SEU CONJUNTO PROPORCIONA CONTRIBUIÇÃO PARA O ESTUDO EXPERIMENTAL DO SISTEMA DWELL, EM PARTICULAR, QUANTO AOS ASPECTOS RELACIONADOS À DINÂMICA DE PORTADORES.
Título (EN):
OPTICAL INVESTIGATION OF INAS QUANTUM DOTS CONFINED IN IN0,15GA0,85AS QUANTUM WELLS
Palavras-Chave (EN):
NÃO CONSTA
Resumo Original (EN):
THE DOT-IN-WELL (DWELL) STRUCTURE HAS BEEN EXTENSIVELY STUDIED IN RECENT YEARS BECAUSE OF ITS RELEVANCE TO THE FABRICATION OF OPTICAL AND ELECTRONIC DEVICES, IN PARTICULAR, HIGH-PERFORMANCE PHOTODETECTORS. THE INSERTION OF QUANTUM DOTS (QD) IN THE WELL INCREASES THE DENSITY OF DOTS WHICH, ADDED TO THE ADDITIONAL CONFINEMENT PROVIDED BY THE QUANTUM WELL, RESULTS IN A HIGHER OPTICAL EFFICIENCY. MANY WORKS HAS BEEN DEVOTED TO THE STUDY OF THE DYNAMICS CARRIERS IN ORDER TO PROPERLY UNDERSTAND THE FUNCTIONING OF DEVICES MOSTLY AT HIGH TEMPERATURES. IN OUR STUDY, A DWELL SAMPLE, IN WHICH INAS QDS ARE CONFINED IN INGAAS WELLS, WAS GROWN ON A GAAS SUBSTRATE BY MOLECULAR BEAM EPITAXY (MBE) AND WAS ANALYZED BY PHOTOLUMINESCENCE (PL) MEASUREMENTS. THE QUANTUM DOTS WERE GROWN BY TYPICAL STRANSKI-KRASTANOV METHOD. THE PL SPECTRA WERE OBTAINED IN A T64000 JOBIN YVON MONOCHROMATOR. THE SAMPLE WAS INSERTED IN A JANIS HE-CLOSED-CIRCUIT CRYOSTAT AND EXCITED USING AN AR+-ION LASER. THE PL SIGNAL, AFTER DISPERSED, WAS DETECTED BY A GE-DETECTOR AND RECORDED USING A LOCK-IN AMPLIFIER. IN THE EMISSION SPECTRA IS POSSIBLE TO IDENTIFY 3 PEAKS IN HIGH POWER AND LOW TEMPERATURE. THE RESULTS OF PL MEASUREMENTS DEPENDING ON THE POWER EXCITATION SHOWED THAT THE PEAKS ARE RELATED TO TRANSITIONS BETWEEN THE CONFINED LEVELS IN THE QDS. NOT BEEN IDENTIFIED BI-MODAL BEHAVIOR IN THE GROWTH OF QUANTUM DOTS IN THE SAMPLES ANALYZED. THE RESULTS OF THE PL MEASUREMENTS FOR DIFFERENT EXCITATION REGIMES SHOWED THAT IN ALL THE INVESTIGATED OPTICAL TRANSITIONS THERE EXCITONS INVOLVED AND NON RADIATIVE RECOMBINATIONS ARE INSIGNIFICANT. THE GRAPHICS OF INTEGRATED PL INTENSITY AS A FUNCTION OF INVERSE TEMPERATURE ALLOWED FINDING DIFFERENT RANGES OF TEMPERATURE AND THE ACTIVATION ENERGIES ASSOCIATED WITH THE PROCESSES OF THERMAL ESCAPE OF CARRIERS. THE ESCAPE PROCESSES WERE IDENTIFIED: FROM THE DOT TO THE GAAS BARRIER, FROM THE DOT TO THE WELL, FROM THE WELL TO THE BARRIER GAAS AND FROM THE WELL TO A REGION OF DEFECTS AT THE INTERFACE WITH THE GAAS BARRIER. THE SHIFT OF THE EMISSION TO LOWER ENERGIES IS ANALYZED AS A FUNCTION OF TEMPERATURE AND THE RESULTS ARE INTERPRETED CONSIDERING THE RELOCATION OF CARRIERS BETWEEN THE QUANTUM DOTS. THE WORK PROVIDES A CONTRIBUTION TO THE EXPERIMENTAL STUDY OF THE DWELL SYSTEM, IN PARTICULAR, ABOUT THE ASPECTS RELATED TO THE DYNAMICS OF CARRIERS.
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Criado:
19/02/2014 ÀS 11:08:31
Atualizado:
19/02/2014 ÀS 11:08:31
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27/04/2024 ÀS 21:09:59
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