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Detalhes do Documento


DISSERTAÇÃO DE MESTRADO
Título Original (PT):
PREPARAÇÃO E CARACTERIZAÇÃO DE FILMES FINOS SR1-XMEXTIO3 (ME = FE, NI)
Autor:
HISAE MABUCHI, GILDA
Email:
hisagm@gmail.com
Instituição:
UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO (UNESP) - BRASIL
Unidade:
FACULDADE DE CIÊNCIAS (FC) - BAURU - SP
Local de Publicação:
BAURU
Data de Publicação:
2013
Área:
MULTIDISCIPLINAR
Área de Concentração:
MATERIAIS
Titulação:
MESTRE(A) EM MATERIAIS
Orientador:
Dr. PONTES, FENELON MARTINHO LIMA
Banca Examinadora:
♠ Dr. LISBOA FILHO, PAULO NORONHA
♠ Dr. PONTES, FENELON MARTINHO LIMA
♠ Dr. GODINHO JUNIOR, MARIO
Data de Defesa:
20/09/2013
Palavras-Chave (PT):
♠ FERRO
♠ FILMES FINOS
♠ NÍQUEL
♠ TITANATO DE ESTRÔNCIO
Resumo Original (PT):
NESTE TRABALHO DE MESTRADO FORAM PREPARADAS AMOSTRAS DO SISTEMA SRTIO3, SR1-XFEXTIO3 E SR1-XNIXTIO3 COM X = 0,05 E 0,10, NO QUAL FOI UTILIZADO O MÉTODO DOS PRECURSORES POLIMÉRICOS E, A PARTIR DESSE MÉTODO, FORAM PRODUZIDAS AMOSTRAS NA FORMA DE PÓS E FILMES FINOS NANOESTRUTURADOS E CARACTERIZAR SUAS PROPRIEDADES ESTRUTURAIS, MORFOLÓGICAS, ELÉTRICAS E ÓPTICAS. AS CARACTERIZAÇÕES ESTRUTURAIS E MORFOLÓGICAS FORAM REALIZADAS UTILIZANDO AS TÉCNICAS DE DIFRAÇÃO DE RAIOS X, MÉTODO DE RIETVELD, ESPECTROSCOPIA MICRO-RAMAN, ESPECTROSCOPIA NA REGIÃO DO INFRAVERMELHO, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE EMISSÃO DE CAMPO (FEG) E MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA (MFA). OS FILMES FINOS FORAM PREPARADOS PELA TÉCNICA ?SPIN-COATING? SOBRE SUBSTRATO DE SI/SIO2/TI/PT E SIO2. O TRATAMENTO TÉRMICO DAS AMOSTRAS NA FORMA DE PÓ E FILME FORAM DE 400ºC/4HORAS/5ºCMIN-1 E 700ºC/2HORAS/5ºCMIN-1. OS PÓS E OS FILMES FINOS APRESENTARAM ESTRUTURA DO TIPO PEROVSKITA SEM A PRESENÇA DE SEGUNDA FASE. FOI POSSÍVEL OBTER UMA SOLUÇÃO SÓLIDA INCORPORAÇÃO DO ÍON FE E NI NO SITIO A NA FORMA DE PÓS E FILMES FINOS. OS SÍTIOS A LOCALIZAM-SE DENTRO DE UM DODECAEDRO (AO12) DE DOZE OXIGÊNIOS ENQUANTO O SITIO B NO INTERIOR DE UM OCTAEDRO REGULAR (BO6) CONSTITUÍDO DE OITO OXIGÊNIOS. PORTANTO, AS DISTORÇÕES OCORRIDAS NESTAS ESTRUTURAS PRODUZEM IMPORTANTES MUDANÇAS E SURGIMENTO DE NOVAS PROPRIEDADES. A INTRODUÇÃO DOS ÍONS FE E NI NÃO ALTERARAM A CARACTERÍSTICA PARAELÉTRICA DO SRTIO3 A TEMPERATURA AMBIENTE, NO ENTANTO, APRESENTARAM CONSTANTE E PERDA DIELÉTRICA ESTÁVEIS PODENDO SER CONSIDERADA UM GRANDE CANDIDATO A APLICAÇÃO QUE REQUEREM ESTABILIDADE A ALTAS FREQUÊNCIAS. ALÉM DISSO, OS FILMES FINOS DEPOSITADOS SOBRE SUBSTRATO DE SIO2 APRESENTARAM ALTAS VII TRANSMITÂNCIA NA REGIÃO DO UV-VISÍVEL E DIMINUIÇÃO DO BAND GAP E AUMENTO DO ÍNDICE DE REFRAÇÃO DOS FILMES FINOS SUBSTITUÍDOS EM RELAÇÃO AO PURO.
Título (EN):
NÃO CONSTA
Palavras-Chave (EN):
♠ NÃO CONSTA
Resumo Original (EN):
IN THIS MASTER?S DEGREE WORK, SAMPLES OF THE SYSTEMS SRTIO3, SR1-XFEXTIO3 AND SR1-XNIXTIO3 (WITH X = 0.05 AND 0,10) WERE SYNTHSIZED BY THE THE POLYMERIC PRECURSORS? METHOD, AND FROM THIS MATERIAL, POWDER AND NANOSTRUCTURED THIN FILMS SAMPLES WERE PRODUCED TO HAVE THEIR STRUCTURAL, MORPHOLOGICAL, ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES CHARACTERIZED. THE STRUCTURAL CHARACTERIZATION AND MORPHOLOGICAL WAS DONE BY USING X-RAY DIFFRACTION TECHNIQUES, RIETVELD METHOD, MICRO-RAMAN SPECTROSCOPY, INFRARED REGION?S SPECTROSCOPY TECHNIQUES, FIELD EMISSION?S ELECTRONIC MICROSCOPY (FEG) AND ATOMIC FORCE MICROSCOPY (AFM). THE THIN FILMS WERE PREPARED BY THE ?SPIN-COATING? TECHNIQUE ON SI/SIO2/TI/PT AND SIO2 SUBSTRATES. THE THERMAL TREATMENT OF THE SAMPLES, IN POWDER AND FILM FORMS, WAS OF 400ºC/4H/5ºCMIN-1 AND 700ºC/2H/5ºCMIN-1. THE POWDERS AND THIN FILMS PRESENTED A PEROVSKITE TYPE OF STRUCTURE WITHOUT THE PRESENCE OF THE SECOND PHASE. IT WAS POSSIBLE TO OBTAIN A COMPLEX INCORPORATION SYSTEM OF THE IONS FE AND NI AT THE SITE A AS POWDER AND THIN FILMS. THE SITES A ARE LOCATED INSIDE A DODECAHEDRON (AO12) OF TWELVE OXYGENS, WHILE THE SITE B, INSIDE A REGULAR OCTAHEDRON (BO6), FORMED BY EIGHT OXYGENS. THEREFORE, THE DISTORTIONS OCCURRED ON THESE STRUCTURES PRODUCE IMPORTANT CHANGES AND THE EMERGENCE OF NEW PROPERTIES. THE INTRODUCTION OF THE FE AND NI IONS DON?T CHANGE THE SRTIO3 PARAELECTRIC CHARACTERISTICS AT ROOM TEMPERATURE, BUT, THEY PRESENTED STABLE CONSTANT AND DIELECTRIC LOSS, WHAT CAN BE CONSIDERED A GREAT CANDIDATE TO AN APPLICATION THAT REQUIRES STABILITY AND HIGH FREQUENCIES.MOREOVER, THE THIN FILMS THAT WERE DEPOSITED ON THE SIO2, PRESENTED HIGH TRANSMITTANCE IN THE VISIBLE UV?S REGION AND THE DIMINUTION OF THE STO?S BAND GAP, DUE TO THE DOPED-MATERIAL.
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Criado:
31/10/2013 ÀS 16:54:17
Atualizado:
31/10/2013 ÀS 16:54:17
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