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TESE DE DOUTORADO
Título Original (PT):
PROPRIEDADES MULTIFUNCIONAIS DO CACU3TI4O12: ESTUDO DOS MECANISMOS E SUAS APLICAÇÕES
Autor:
FELIX, ANDERSON ANDRÉ
Email:
aafelixy@yahoo.com.br
Instituição:
UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO (UNESP) - BRASIL
Unidade:
INSTITUTO DE QUÍMICA (IQ) - ARARAQUARA - SP
Local de Publicação:
BAURU / ARARAQUARA
Data de Publicação:
2013
Área:
MULTIDISCIPLINAR
Área de Concentração:
MATERIAIS
Titulação:
DOUTOR(A) EM MATERIAIS
Orientador:
Dr. VARELA, JOSÉ ARANA
Banca Examinadora:
♠ Dr. BUENO, PAULO ROBERTO
♠ Dr. LISBOA FILHO, PAULO NORONHA
♠ Dr. VARELA, JOSÉ ARANA
♠ Dr. RAMIREZ GIL, MIGUEL ANGEL
♠ Dr. PIANARO, SIDNEI ANTONIO
Data de Defesa:
26/04/2013
Palavras-Chave (PT):
♠ BARREIRA DE POTENCIAL
♠ CACU3TI4O12
♠ CERÂMICAS
♠ FILMES FINOS
♠ MODELO SCHOTTKY
Resumo Original (PT):
NESTE TRABALHO PASTILHAS CERÂMICAS DE CACU3TI4O12 (CCTO) FORAM PRODUZIDAS PELO MÉTODO DE REAÇÃO POR ESTADO SÓLIDO ONDE ESTUDOS POR DIFRAÇÃO DE RAIOS-X MOSTRARAM QUE AS AMOSTRAS POLICRISTALINAS SÃO MONOFÁSICAS DEPENDENDO DA PRESSÃO PARCIAL DE OXIGÊNIO. ESTUDOS POR MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA E FOTOLUMINESCÊNCIA INDICAM QUE O PROCESSO DE CRESCIMENTO DE GRÃO E DENSIFICAÇÃO DAS AMOSTRAS E A FORMAÇÃO DE VACÂNCIAS DE OXIGÊNIO ESTÃO DIRETAMENTE RELACIONADOS A CONCENTRAÇÃO DE OXIGÊNIO DURANTE O PROCESSO DE SINTERIZAÇÃO. AS AMOSTRAS FORAM CARACTERIZADAS POR MEDIDAS ELÉTRICAS DC EM FUNÇÃO DA TEMPERATURA, QUE ASSOCIADA A TEORIA DE SEMICONDUTORES, PROVARAM QUE AS BARREIRAS DE POTENCIAL NO CCTO SÃO MAIS INFLUENCIADAS PELA TEMPERATURA DO QUE PELO CAMPO ELÉTRICO, OU SEJA, SÃO BARREIRAS DO TIPO SCHOTTKY. UM MODELO DE BARREIRA E OS MECANISMOS DE FORMAÇÃO FORAM PROPOSTOS PARA DESCREVER A FORMAÇÃO DA BARREIRA DE POTENCIAL NO CCTO. MEDIDAS DE CORRENTE-TENSÃO CÍCLICAS MOSTRARAM QUE O EFEITO DE COMUTAÇÃO RESISTIVA NO CCTO ESTÁ DIRETAMENTE RELACIONADO A EFEITOS DE CONTORNO DE GRÃO E EFEITO JOULE. AS PROPRIEDADES DE TRANSPORTE ELÉTRICO EM FILMES FINOS DE CCTO FORAM INVESTIGADAS PARA OS EFEITOS DE COMUTAÇÃO RESISTIVA, RETIFICAÇÃO ELÉTRICA E APLICAÇÃO EM SENSORES DE GÁS. FILMES MONOFÁSICOS FORAM PRODUZIDOS PELO MÉTODO DOS PRECURSORES POLIMÉRICOS (MPP) EM DIFERENTES TIPOS DE SUBSTRATOS. FILMES PRODUZIDOS EM SUBSTRATOS DE LNO/SI APRESENTAM CURVAS DE CORRENTE-TENSÃO SIMÉTRICAS, INDICANDO CONTATOS ÔHMICOS, ENQUANTO OS FILMES DEPOSITADOS SOBRE SUBSTRATOS DE PT/SI TÊM UM COMPORTAMENTO ALTAMENTE ASSIMÉTRICO NESTAS CURVAS, O QUAL ESTÁ RELACIONADA COM A FORMAÇÃO DE UM JUNÇÃO METAL-SEMICONDUTOR NA INTERFACE CCTO/PT. OS RESULTADOS INDICAM QUE A FORMAÇÃO DESTE TIPO DE CONTATO REFORÇA O EFEITO DE COMUTAÇÃO RESISTIVA NESTE MATERIAL. TESTES DA RESPOSTA COMO SENSOR DE GÁS REVELARAM QUE OS FILMES DE CCTO SÃO SENSÍVEIS AO GÁS OXIGÊNIO E APRESENTAM CONDUTIVIDADE DO TIPO-N. OS RESULTADOS APRESENTADOS NESTE TRABALHO DEMONSTRAM A VERSATILIDADE DE FILMES FINOS DE CCTO PREPARADO PELO MÉTODO MPP E PODEM SER APLICADOS COMO RERAM, SENSOR DE GÁS E DIODO SCHOTTKY DEPENDENDO DA CONFIGURAÇÃO UTILIZADA.
Título (EN):
NÃO CONSTA
Palavras-Chave (EN):
♠ CACU3TI4O12
♠ CERAMIC
Resumo Original (EN):
CACU3TI4O12 (CCTO) PELLETS WERE PRODUCED BY SOLID STATE REACTION METHOD AND X-RAY DIFFRACTOGRAMS SHOWED THAT SINGLE PHASE POLYCRYSTALLINE SAMPLES WERE OBTAINED. STUDIES BY SCANNING ELECTRON MICROSCOPY AND PHOTOLUMINESCENCE INDICATE THAT THE PROCESS OF GROWTH AND DENSIFICATION OF THE SAMPLES AND FORMATION OF OXYGEN VACANCIES, RESPECTIVELY, ARE DIRECTLY RELATED TO OXYGEN CONCENTRATION DURING SINTERIZATION PROCESS. THE SAMPLES WERE ELECTRICALLY CHARACTERIZED BY DC MEASUREMENTS AS FUNCTION OF TEMPERATURE, WHICH ASSOCIATED TO SEMICONDUCTOR THEORY, SHOWED THAT CCTO BARRIERS ARE MORE INFLUENCED BY TEMPERATURE THAN BY ELECTRIC FIELD, I.E., SCHOTTKY BARRIERS. A MODEL AND THE MECHANISM FOR BARRIER FORMATION HAVE BEEN PROPOSED TO DESCRIBE THE CCTO POTENTIAL BARRIER. ELECTRIC TRANSPORT PROPERTIES OF CACU3TI4O12 (CCTO) THIN FILMS WERE INVESTIGATED FOR RESISTIVE SWITCHING, RECTIFYING AND GAS SENSOR APPLICATIONS. SINGLE PHASE CCTO THIN FILMS WERE PRODUCED BY POLYMERIC PRECURSOR METHOD (PPM) ON DIFFERENT SUBSTRATES. CYCLIC CURRENT-VOLTAGE MEASUREMENTS SHOWED THAT RESISTIVE SWITCHING EFFECTS IN CCTO IS DIRECTLY RELATED TO THE GRAIN BOUNDARY AND JOULE EFFECTS. FILMS PRODUCED ON LNO/SI SUBSTRATES HAVE SYMMETRICAL NON-OHMIC CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS, FORMING OHMIC CONTACT, WHILE FILMS DEPOSITED ON PT/SI SUBSTRATES HAVE A HIGHLY ASYMMETRICAL NON-OHMIC BEHAVIOR WHICH IS RELATED TO A METAL-SEMICONDUCTOR (MS) JUNCTION FORMED AT THE CCTO/PT INTERFACE. RESULTS CONFIRM THAT CCTO HAS A RESISTIVE SWITCHING RESPONSE WHICH IS ENHANCED BY SCHOTTKY CONTACTS. SENSOR RESPONSE TESTS REVEALED THAT CCTO FILMS ARE SENSITIVE TO OXYGEN GAS AND EXHIBIT N-TYPE CONDUCTIVITY. THESE RESULTS DEMONSTRATE THE VERSATILITY OF CCTO THIN FILM PREPARED BY THE PPM METHOD FOR GAS ATMOSPHERE OR BIAS DEPENDENT RESISTANCE APPLICATIONS DEPENDING ON FILM CONFIGURATION.
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Criado:
09/05/2013 ÀS 09:48:47
Atualizado:
09/05/2013 ÀS 09:48:47
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