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DISSERTAÇÃO DE MESTRADO
Título Original (PT):
CARACTERIZAÇÃO DE FILMES FINOS DE POLÍMEROS ENTRECRUZÁVEIS COMO CAMADA DIELÉTRICA EM DISPOSITIVOS DE ELETRÔNICA ORGÂNICA
Autor:
SUSSUMU YWATA, RICARDO
Email:
ricardo_ywata@ig.com.br
Instituição:
UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO (UNESP) - BRASIL
Unidade:
FACULDADE DE CIÊNCIAS (FC) - BAURU - SP
Local de Publicação:
UNESP
Data de Publicação:
2012
Área:
MULTIDISCIPLINAR
Área de Concentração:
MATERIAIS
Titulação:
MESTRE(A) EM MATERIAIS
Orientador:
Dr. GIACOMETTI, JOSE ALBERTO
Banca Examinadora:
Dr. GIACOMETTI, JOSE ALBERTO
Dr. CRUZ, NILSON CRISTINO
Dr. FELIX DE CARVALHO, ANTONIO JOSE
Data de Defesa:
11/06/2012
Palavras-Chave (PT):
CONDUÇÃO ELÉTRICA
DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
FOTORESISTE
POLI(AMIDA-IMIDA)
POLI(FENIL-METILSILSESQUIOXANO)
PROPRIEDADES DIELÉTRICAS
Resumo Original (PT):
O OBJETIVO DESTE TRABALHO É A CARACTERIZAÇÃO DE POLÍMEROS ISOLANTES ELÉTRICOS PARA SEU USO NA FABRICAÇÃO DE DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS ORGÂNICOS. OS POLÍMEROS ESTUDADOS FORAM: A POLI(AMIDA-IMIDA), PAI, POLI(FENIL-METILSILSESQUIOXANO), PSQ, E O FOTORESISTE SU8. O PROCESSO DE FABRICAÇÃO DOS FILMES POLIMÉRICOS FOI REALIZADO PELA TÉCNICA DE SPIN-COATING E ELES FORAM SUBMETIDOS A UM PROCESSO DE CURA APROPRIADO PARA O ENTRECRUZAMENTO DAS CADEIAS POLIMÉRICAS. OS FILMES FORAM CARACTERIZADOS POR ESPECTROSCOPIA DE IMPEDÂNCIA E MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA (AFM). CURVAS DE CAPACITÂNCIA E TANδ TAMBÉM FORAM ANALISADAS E VALORES MENORES QUE 10-2 FORAM ENCONTRADAS PARA A TANδ INDICANDO QUE OS POLÍMEROS SÃO BONS ISOLANTES ELÉTRICOS. CURVAS CARACTERÍSTICAS DE CORRENTE VERSUS DIFERENÇA DE POTENCIAL ELÉTRICO (DDP) EM DIFERENTES TEMPERATURAS FORAM OBTIDAS PARA TODOS OS FILMES. A CONDUÇÃO ELÉTRICA FOI ANALISADA E CONCLUIU-SE QUE O PROCESSO DE CONDUÇÃO PREDOMINANTE NOS FILMES POLIMÉRICOS É POR INJEÇÃO DE CARGAS POR EFEITO SCHOTTKY. A ALTURA DA BARREIRA DE INJEÇÃO POLÍMERO/METAL CALCULADA FOI DA ORDEM DE 1,1 EV PARA O PSQ E 1,2 EV PARA O SU8 E PAI. FINALMENTE, É APRESENTADA UMA BREVE DESCRIÇÃO DAS CARACTERÍSTICAS DE UM DISPOSITIVO METAL-ISOLANTE-METAL (MIS) USANDO O POLÍMERO PAI COMO CAMADA ISOLANTE. É MOSTRADO TAMBÉM QUE OS FILMES FINOS DE PAI APRESENTAM O FENÔMENO DE CHAVEAMENTO RESISTIVO DA CORRENTE DE CONDUÇÃO, O QUE PODE SER APLICADO EM MEMÓRIA DE CHAVEAMENTO RESISTIVA.
Título (EN):
NÃO CONSTA
Palavras-Chave (EN):
ELECTRICAL CONDUCTION
ELECTRICAL PROPERTIES
ELECTRONIC DEVICES
PHOTORESIST
POLY(AMIDE-IMIDE)
POLY(PHENYL-METHYLSILSESQUIOXANE)
Resumo Original (EN):
THIS WORK AIMS THE THIN FILMS CHARACTERIZATION OF ELECTRIC INSULATING POLYMERS FOR THE FABRICATION OF ORGANIC ELECTRONIC DEVICES: THE POLY(AMIDE-IMIDE), PAI, POLY(PHENYLMETHYLSILSESQUIOXANE), PSQ, AND THE SU8 PHOTORESIST. THE MANUFACTURING PROCESS OF THE POLYMER FILMS WAS PERFORMED BY SPIN-COATING AND THEY WERE SUBMITTED TO THE APPROPRIATED CURING PROCESS IN ORDER TO PROMOTE THE CROSS-LINKING OF POLYMERIC CHAINS. THE THIN FILMS WERE CHARACTERIZED BY USING ELECTRIC IMPEDANCE TECHNIQUE AND SCANNING ATOMIC FORCE MICROSCOPY (AFM). CURVES OF CAPACITANCE AND TANδ WERE ALSO ANALYZED AND VALUES SMALLER THAN 10-2 WERE FOUND FOR TANδ INDICATING THAT THE POLYMERS ARE GOOD ELECTRICAL INSULATORS. CURRENT VERSUS VOLTAGE CHARACTERISTICS CURVES AT DIFFERENT TEMPERATURES WERE OBTAINED FOR ALL FILMS. THE ELECTRICAL CONDUCTION WAS ANALYZED AND IT WAS CONCLUDED THAT THE CONDUCTION PROCESS ON POLYMERIC FILMS ARE DOMINATED BY SCHOTTKY CHARGE INJECTION. THE INJECTION BARRIER HEIGHT OF POLYMER/METAL WAS FOUND TO BE OF THE ORDER OF 1.1 EV FOR PSQ AND 1.2 EV FOR SU8 AND PAI. FINALLY, IS PRESENTED A BRIEF SUMMARY OF A METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR (MIS) DEVICE CHARACTERISTICS USING THE PAI POLYMER AS AN INSULATING LAYER. IT IS ALSO SHOWN THAT THE THINNER PAI POLYMERIC FILMS PRESENTS THE ELECTRICAL CONDUCTION SWITCHING THAT COULD BE APPLIED IN RESISTIVE SWITCHING MEMORIES.
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Criado:
02/07/2012 ÀS 15:11:24
Atualizado:
02/07/2012 ÀS 15:11:24
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