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Detalhes do Documento


DISSERTAÇÃO DE MESTRADO
Título Original (PT):
ESTUDO DAS PROPRIEDADES ÓPTICAS DE POÇOS QUÂNTICOS DE
Autor:
ZANUTTO BASSETTO JUNIOR, CARLOS ALBERTO
Email:
juniorbassetto@hotmail.com
Instituição:
UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO (UNESP) - BRASIL
Unidade:
FACULDADE DE CIÊNCIAS (FC) - BAURU - SP
Local de Publicação:
BAURU
Data de Publicação:
2012
Área:
MULTIDISCIPLINAR
Área de Concentração:
MATERIAIS
Titulação:
MESTRE(A) EM MATERIAIS
Orientador:
Dr. TABATA, AMERICO SHEITIRO
Banca Examinadora:
♠ Dr. TABATA, AMERICO SHEITIRO
♠ Dr. YUKIMITU, KEIZO
♠ Dr. LEVINE, ALEXANDRE
Data de Defesa:
15/02/2012
Palavras-Chave (PT):
♠ FOTOLUMINESCÊNCIA
♠ INGAASN
♠ PROPRIEDADES ÓPTICAS
♠ SEMICONDUTORES
♠ TENSÃO
Resumo Original (PT):
UMA NOVA FAMÍLIA DE SEMICONDUTORES, A LIGA QUATERNÁRIA INXGA1-XAS1-YNY, CUJO ELEMENTO NITROGÊNIO SUBSTITUI O ELEMENTO ARSÊNIO EM PEQUENAS PORCENTAGENS, TEM RECEBIDO GRANDE ATENÇÃO DEVIDO À EMISSÃO ÓPTICA NA REGIÃO DE 1,3 M, TECNOLOGICAMENTE IMPORTANTE PARA TRANSMISSÃO DE DADOS EM FIBRA ÓPTICA. ESTUDOS SOBRE CARACTERIZAÇÃO E PROPRIEDADES ÓPTICAS DESTA LIGA FORNECEM MAIORES INFORMAÇÕES SOBRE O COMPORTAMENTO DA MESMA. FORAM ESTUDADOS POÇOS QUÂNTICOS, AS ESTRUTURAS BÁSICAS DE DISPOSITIVOS OPTOELETRÔNICOS DE INXGA1- XAS0.984N0.016/GAAS COM DIFERENTES VALORES DE CONCENTRAÇÃO X: 26%, 30%, 34%, 38% E 43% CRESCIDAS EM DUAS TEMPERATURAS DIFERENTES: 400ºC E 430ºC. AS AMOSTRAS FORAM TRATADAS TERMICAMENTE A 700ºC NUM PERÍODO DE 30 MINUTOS. COMO ESSA LIGA É TENSIONADA, O FOCO CENTROU-SE EM ACHAR UM MODELO DE ESPESSURA CRÍTICA CONDIZENTE PARA DADOS EXPERIMENTAIS DE FOTOLUMINESCÊNCIA. FORAM ANALISADAS A DINÂMICA DE PORTADORES, A ENERGIA DE ATIVAÇÃO E A QUALIDADE ESTRUTURAL DAS AMOSTRAS COM A TÉCNICA DE FOTOLUMINESCÊNCIA EM DIVERSAS CONDIÇÕES. OS ESTUDOS REALIZADOS, ALIADOS AO CONHECIMENTO DOS PARÂMETROS ACIMA MENCIONADOS, TÊM O OBJETIVO DE CONTRIBUIR PARA QUE SE POSSA DETERMINAR A APLICABILIDADE E ESTIMAR O RENDIMENTO EM DISPOSITIVOS OPTOELETRÔNICOS, COM BASE NESTE MATERIAL.
Título (EN):
NÃO CONSTA
Palavras-Chave (EN):
♠ INGAASN
♠ OPTICAL PROPERTIES
♠ PHOTOLUMINESCENCE
Resumo Original (EN):
A NEW FAMILY OF SEMICONDUCTORS HAS BEEN PROPOSED, THE QUATERNARY ALLOYINXGA1-XAS1-YNY, IN WHICH THE ELEMENT NITROGEN REPLACES THE ELEMENT ARSENIC IN SMALL PERCENTAGES. IT HAS RECEIVED GREAT ATTENTION DUE TO THE FACT OF OPTICAL EMISSION IN THE REGION OF 1.3UM, TECHNOLOGICALLY IMPORTANT FOR DATA TRANSMISSION AT OPTICAL FIBER. STUDIES ON CHARACTERIZATION AND OPTICAL PROPERTIES OF THIS ALLOY PROVIDES MORE INFORMATION ABOUT THE CONDUCT OF IT. IT WAS STUDIED QUANTUM WELLS, THE BASIC STRUCTURES OF INXGA1-XAS0.984N0.016/GAAS OPTOELECTRONIC DEVICES, WITH DIFFERENT VALUES OF CONCENTRATION X: 26%, 30%, 34%, 38% AND 43%, GROWN AT TWO DIFFERENT TEMPERATURES: 400 °C AND 430° C. THE SAMPLE HAS ANNEALED AT 700° C FOR 30 MIN. AS THIS ALLOY IS TENSIONED, THE FOCUS OF THIS RESEARCH IS TO FIND A CONSISTENT MODEL OF CRITICAL THICKNESS FOR PHOTOLUMINESCENCE EXPERIMENTAL DATA. IT WILL BE DONE AN ANALYSIS OF THE DYNAMIC CARRIERS, ACTIVATION ENERGY AND STRUCTURAL QUALITY OF THE SAMPLES WITH THE ANALYSIS OF PHOTOLUMINESCENCE WITH DIVERSE CONDITIONS. WITH THESE STUDIES AND THE KNOWLEDGE OF THE PARAMETERS MENTIONED ABOVE, IT WAS INTENDED CONTRIBUTE TO DETERMINE THE APPLICABILITY AND ESTIMATE THE YIELD OF OPTOELETRONIC DEVICES BASED ON THIS MATERIAL.
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Criado:
23/02/2012 ÀS 11:55:06
Atualizado:
23/02/2012 ÀS 11:55:06
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