| TESE DE DOUTORADO |
Título Original (PT): |
PROPRIEDADES ESTRUTURAIS, ÓPTICAS E MAGNÉTICAS DE FILMES DE GAMNN |
Autor: |
LEITE, DOUGLAS MARCEL GONÇALVES |
Email: |
dmgleite@fc.unesp.br |
Instituição: |
UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO (UNESP) - BRASIL |
Unidade: |
FACULDADE DE CIÊNCIAS (FC) - BAURU - SP |
Local de Publicação: |
BAURU |
Data de Publicação: |
2011 |
Área: |
MULTIDISCIPLINAR |
Área de Concentração: |
MATERIAIS |
Titulação: |
DOUTOR(A) EM MATERIAIS |
Orientador: |
Dr. SILVA, JOSE HUMBERTO DIAS DA |
Banca Examinadora: |
♠ Dr. SCALVI, LUIZ VICENTE ANDRADE
♠ Dr. SILVA, JOSE HUMBERTO DIAS DA
♠ Dr. ALFONSO, ALEXYS BRUNO
♠ Dr. SCARMINIO, JAIR
♠ Dr. PAGLIUSO, PASCOAL JOSE GIGLIO
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Data de Defesa: |
17/02/2011 |
Palavras-Chave (PT): |
♠ GAMNN
♠ MOVPE
♠ SEMICONDUTOR MAGNÉTICO DILUÍDO
♠ SPUTTERING
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Resumo Original (PT): |
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A RECENTE BUSCA POR SEMICONDUTORES MAGNÉTICOS DILUÍDOS COM
PROPRIEDADES MAGNÉTICAS DE INTERESSE MOTIVOU ESTE TRABALHO DE CRESCIMENTO DE
FILMES DE GA1-XMNXN PELAS TÉCNICAS DE SPUTTERING E EPITAXIA DA FASE DE VAPOR DE
ORGANOMETÁLICOS (MOVPE). OS FILMES SÃO CARACTERIZADOS ESTRUTURALMENTE POR
MEDIDAS DE DIFRAÇÃO DE RAIO X E MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE TRANSMISSÃO, OPTICAMENTE
POR TRANSMITÂNCIA ÓPTICA E ESPALHAMENTO RAMAN, E MAGNETICAMENTE POR MEDIDAS
MAGNETIZAÇÃO VERSUS CAMPO APLICADO E VERSUS TEMPERATURA. AS PRINCIPAIS DIFERENÇAS
ENTRE OS FILMES DE GAMNN PREPARADOS POR SPUTTERING E MOVPE REFEREM-SE À
MICROESTRUTURA E AO CONTEÚDO DE MN: OS PRIMEIROS SÃO POLICRISTALINOS E APRESENTAM
CONTEÚDO DE MN ATÉ 9%, ENQUANTO OS ÚLTIMOS SÃO MONOCRISTALINOS COM CONCENTRAÇÃO
DE MN ATÉ 1%. A ALTA CONCENTRAÇÃO DE MN NOS FILMES CRESCIDOS POR SPUTTERING É
POSSIVELMENTE RESPONSÁVEL PELO SURGIMENTO DE UM COMPORTAMENTO COLETIVO DESTES
ÍONS DE MN NAS MEDIDAS MAGNÉTICAS. ESSE COMPORTAMENTO COLETIVO SE IDENTIFICA A
PARTIR DE CONTRIBUIÇÃO PARAMAGNÉTICA DE DOMÍNIOS ISOLADOS COM ALTO VALOR DE
MOMENTO MAGNÉTICO, O QUE SE MOSTRA CONSISTENTE COM A MICROESTRUTURA APRESENTADA
POR ESTES FILMES. A ALTA CONCENTRAÇÃO DE MN NOS FILMES PREPARADOS POR SPUTTERING
TAMBÉM SE MOSTRA RESPONSÁVEL POR INTENSA ABSORÇÃO ÓPTICA ABAIXO DA ENERGIA DO
GAP, SENDO ESTA RELACIONADA A TRANSIÇÕES ELETRÔNICAS ENTRE OS ESTADOS LOCALIZADOS DO
MN E AS BANDAS DE VALÊNCIA E CONDUÇÃO DO GAN. O CONTRASTE ENTRE AS PROPRIEDADES
DOS FILMES DE GAMNN PRODUZIDOS POR SPUTTERING E POR MOVPE POSSIBILITA ENTÃO UM
ENTENDIMENTO MAIS ABRANGENTE DOS ASPECTOS DA INCORPORAÇÃO DE MN NO GAN E SUAS
RESPECTIVAS CARACTERÍSTICAS ESTRUTURAIS, ÓPTICAS E MAGNÉTICAS. ESSE ENTENDIMENTO É
IMPORTANTE PARA DELINEAR A OTIMIZAÇÃO DESTE MATERIAL VISANDO PROPRIEDADES
MAGNÉTICAS DE INTERESSE. |
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Título (EN): |
NÃO CONSTA |
Palavras-Chave (EN): |
♠ DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTOR
♠ GAMNN
♠ MOVPE
♠ SPUTTERING
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Resumo Original (EN): |
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THE CURRENT SEARCH FOR DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS WITH INTERESTING
MAGNETIC PROPERTIES HAS MOTIVATED THE PRESENT WORK ON GROWING GAMNN FILMS BY
SPUTTERING AND METALORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY (MOVPE) TECHNIQUES. THE FILMS ARE
CHARACTERIZED BY X-RAY DIFFRACTION, TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY, OPTICAL
TRANSMISSION, RAMAN SCATTERING, AND BY MAGNETIZATION MEASUREMENTS. THE MAIN
DIFFERENCE BETWEEN THE GAMNN GROWN BY SPUTTERING AND THOSE GROWN BY MOVPE
RELATES TO THEIR MICROSTRUCTURE (POLYCRYSTALLINE / MONOCRYSTALLINE) AND MN CONTENT (UP
TO 9% / 1% RESPECTIVELY). THE HIGH MN CONTENT IN GAMNN SAMPLES GROWN BY
SPUTTERING IS PROBABLY RESPONSIBLE FOR A COLLECTIVE RESPONSE ON THE MAGNETIC
MEASUREMENTS. THIS COLLECTIVE MN RESPONSE IS IDENTIFIED AS A HIGH MAGNETIC MOMENT
CONTRIBUTION WHICH IS CONSISTENT WITH SAMPLE MICROSTRUCTURE. IN THE SPUTTERED SAMPLES,
THE HIGH MN CONTENT IS ALSO RESPONSIBLE FOR STRONG SUBBANDGAP OPTICAL ABSORPTION
RELATED TO ELECTRONIC TRANSITIONS INVOLVING MN STATES AND THE VALENCE AND CONDUCTION
BANDS OF GAN. THE COMPARISON BETWEEN THE PROPERTIES OF GAMNN FILMS GROWN BY
DIFFERENT TECHNIQUES IS IMPORTANT IN ORDER TO GET A BETTER UNDERSTANDING ABOUT THE MN
INCORPORATION IN GAN. THIS UNDERSTANDING BEEN IMPORTANT TO DEFINE THE NEXT STEPS
REGARDING THE OPTIMIZATION OF THIS MATERIAL. |
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Arquivo: |
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Criado: |
30/03/2011 ÀS 15:05:44 |
Atualizado: |
30/03/2011 ÀS 15:05:44 |
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