| DISSERTAÇÃO DE MESTRADO |
Título Original (PT): |
INVESTIGAÇÃO DE PROPRIEDADES DE FILMES FINOS DE SNO2 E AL2O3 PARA APLICAÇÃO EM DISPOSITIVOS |
Autor: |
BARBOSA MACIEL JUNIOR, JORGE LUIZ |
Email: |
macieljr@fc.unesp.br |
Instituição: |
UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO (UNESP) - BRASIL |
Unidade: |
FACULDADE DE CIÊNCIAS (FC) - BAURU - SP |
Local de Publicação: |
BAURU |
Data de Publicação: |
2010 |
Área: |
MULTIDISCIPLINAR |
Área de Concentração: |
MATERIAIS |
Titulação: |
MESTRE(A) EM MATERIAIS |
Orientador: |
Dr. SCALVI, LUIZ VICENTE ANDRADE |
Banca Examinadora: |
♠ Dr. SCALVI, LUIZ VICENTE ANDRADE
♠ Drª. SAEKI, MARGARIDA JURI
♠ Dr. CATUNDA, TOMAZ
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Data de Defesa: |
18/02/2010 |
Palavras-Chave (PT): |
♠ ALUMINA
♠ DIÓXIDO DE ESTANHO
♠ EVAPORAÇÃO RESISTIVA
♠ FILMES FINOS
♠ MOLHAMENTO
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Resumo Original (PT): |
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A PROPOSTA DESTE TRABALHO É A INVESTIGAÇÃO DAS PROPRIEDADES ELÉTRICAS E ÓPTICAS DE
FILMES FINOS DE DIÓXIDO DE ESTANHO (SNO2) OBTIDOS VIA SOL-GEL E POR SOLUÇÃO ALCOÓLICA
DEPOSITADOS VIA DIP-COATING, E, FILMES DE ALUMINA (AL2O3) OBTIDOS POR DEPOSIÇÃO DE FILMES DE
ALUMÍNIO (AL) VIA EVAPORAÇÃO RESISTIVA E TRATAMENTO TÉRMICO EM DIFERENTES AMBIENTES, PARA
PROMOVER A OXIDAÇÃO DE AL. A INVESTIGAÇÃO INDIVIDUAL QUANTO ÀS PROPRIEDADES ÓPTICAS E
ELÉTRICAS DESSES MATERIAIS VISA CONHECER SEU COMPORTAMENTO NA FORMA DE FILMES, E ESTUDAR A
REGIÃO INTERFACIAL DE SNO2/AL2O3.
AS CARACTERIZAÇÕES ESTRUTURAIS DOS FILMES FORAM FEITAS POR DIFRAÇÃO DE RAIOS-X
(DRX), E, NO CASO DOS FILMES DE ALUMINA, UTILIZOU-SE TAMBÉM MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE
VARREDURA (MEV) E MICROSCOPIA ÓPTICA. NAS CARACTERIZAÇÕES ÓPTICAS FORAM UTILIZADAS TÉCNICAS
DE ESPECTROSCOPIA NA REGIÃO DO ULTRAVIOLETA E NO INFRAVERMELHO PRÓXIMO (UV-VIS-NIR).
TANTO OS FILMES OBTIDOS POR MEIO ALCOÓLICO COMO OS OBTIDOS VIA SGDC FORAM
CARACTERIZADOS COMO SENDO DE SNO2 DE ESTRUTURA TETRAGONAL DO TIPO RUTILO, SENDO QUE OS FILMES
OBTIDOS VIA PROCESSO ALCOÓLICO APRESENTARAM CONDUTIVIDADE ELÉTRICA MAIOR DO QUE OS FILMES
OBTIDOS VIA SGDC. OS RESULTADOS REFERENTES AOS FILMES FINOS DE ALUMÍNIO INDICAM QUE
INDEPENDENTEMENTE DA QUANTIDADE DE CAMADAS DE ALUMÍNIO DEPOSITADAS E DA ATMOSFERA DE
TRATAMENTO TÉRMICO, TEM-SE A OXIDAÇÃO DO ALUMÍNIO À ALUMINA (AL2O3), SENDO QUE A ESTRUTURA
DOMINANTE DEPENDE DA ATMOSFERA DE TRATAMENTO. A SUA UTILIZAÇÃO COMO CAMADA ISOLANTE NO
GATE EM DISPOSITIVO METAL-ÓXIDO-SEMICONDUTOR É VIÁVEL, POIS A CORRENTE FONTE-DRENO APRESENTA
VALORES SIGNIFICATIVAMENTE MAIORES DO QUE A CORRENTE FONTE-GATE. |
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Título (EN): |
NÃO CONSTA |
Palavras-Chave (EN): |
♠ ALUMINA
♠ DIP-COATING
♠ RESISTIVE EVAPORATION
♠ THIN FILMS
♠ TIN DIOXIDE
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Resumo Original (EN): |
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THE MAIN GOAL OF THIS WORK IS THE INVESTIGATION OF PROPERTIES OF TIN DIOXIDE (SNO2)
AND ALUMINA (AL2O3) THIN FILMS. THE FIRST ONE WAS OBTAINED THROUGH THE SOL-GEL PROCESS AS WELL
AS ALCOHOLIC SOLUTION, VIA DIP-COATING THE ALUMINA THIN FILMS WERE OBTAINED BY RESISTIVE
EVAPORATION OF ALUMINUM (AL) FOLLOWED BY THERMAL ANNEALING IN DISTINCT ATMOSPHERES, TO
PROMOTE THE AL OXIDATION. THE INDIVIDUAL INVESTIGATION OF OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF
THESE MATERIALS AIMS THE KNOWLEDGE OF THEIR BEHAVIOR AS THIN FILMS, WHICH ALLOWS STUDYING THE
INTERFACE LAYER OF THE HETEROJUNCTION SNO2/AL2O3
STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF FILMS WAS CARRIED OUT BY X-RAY DIFFRACTION (XRD)
TECHNIQUE AND PARTICULARLY ON THE ALUMINA FILMS, SCANNING ELECTRON MICROSCOPY (SEM) AND
OPTICAL MICROSCOPY WERE DONE. FOR THE OPTICAL CHARACTERIZATION, WIDE SPECTRA WERE OBTAINED,
WITH SPECTROSCOPY FROM ULTRAVIOLET TO NEAR INFRARED (UV-VIS-NIR).
EITHER THE FILMS OBTAINED IN THE ALCOHOLIC SOLUTION AS WELL AS VIA SGDC, WHERE
CHARACTERIZED AS SNO2 OF TETRAGONAL STRUCTURE OF RUTILE TYPE, AND THE FILMS OBTAINED THROUGH
ALCOHOLIC PROCESS PRESENT ELECTRICAL CONDUCTIVITY HIGHER THAN THE FILMS OBTAINED VIA SGDC.
RESULTS ON ALUMINUM THIN FILMS INDICATE THAT INDEPENDENT ON THE AMOUNT OF DEPOSITED
ALUMINUM AND THERMAL ANNEALING ATMOSPHERE, THE OXIDATION OF ALUMINUM TO ALUMINA (AL2O3)
TAKES PLACE, BUT THE DOMINANT ALUMINA STRUCTURE DEPENDS ON THE THERMAL ANNEALING ATMOSPHERE.
BESIDES, ITS UTILIZATION AS INSULATING LAYER AT THE GATE OF A METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE IS
ACHIEVABLE, BECAUSE THE SOURCE-DRAIN CURRENT IS SIGNIFICANTLY HIGHER THAN THE SOURCE?GATE
CURRENT. |
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Arquivo: |
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Tamanho: |
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Criado: |
06/05/2010 ÀS 10:43:47 |
Atualizado: |
06/05/2010 ÀS 10:43:47 |
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