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Biblioteca Virtual de Teses e Dissertações

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Palavras-Chave (PT):

Resumo Original (PT):

NESTE TRABALHO FOI REALIZADA A SIMULAÇÃO NUMÉRICA DA FASE LÍQUIDA NO PROCESSO DE DEPOSI ÇÃO DE LMES NOS PELA TÉCNICA DE MOLHAMENTO (DIP-COATING), VIA SOL-GEL, UTILIZANDO COMO APLICAÇÃO SOLUÇÕES PRECURSORAS DE DIÓXIDO DE ESTANHO (SNO2). DIÓXIDO DE ESTANHO É UM SEMICONDUTOR TRANSPARENTE DE GAP LARGO, AMPLAMENTE UTILIZADO EM MUITOS TIPOS DE DISPOSITIVOS. ALÉM DA TÉCNICA CONVENCIONAL, O TRABALHO ANALISA UMA NOVA PROPOSTA DA TÉCNICA DE DEPOSIÇÃO DIP-COATING ONDE A SOLUÇÃO SE ENCONTRA EM UMA TEMPERATURA DIFERENTE DA AMBIENTE. PARA AMBAS AS TÉCNICAS FORAM REALIZADAS A MODELAGEM MATEMÁTICA DOS PROBLEMAS E DESENVOLVEU-SE UM MÉTODO NUMÉRICO APROPRIADO BASEADO NO MÉTODO MAC (MARKER AND CELL). O PROBLEMA FOI RESOLVIDO EM COORDENADAS CARTESIANAS BIDIMENSIONAIS E AS EQUAÇÕES FORAM DISCRETIZADAS PELA TÉCNICA DE DIFERENÇAS NITAS. OS RESULTADOS NUMÉRICOS SÃO VISUALIZADOS POR MEIO DA DISTRIBUIÇÃO DE TEMPERATURA E VETORES VELOCIDADE DA SOLUÇÃO PRECURSORA, QUE FORNECEM SUBSÍDIOS PARA INVESTIGAÇÃO DA INUÊNCIA DOS VETORES VELOCIDADE NA OBTENÇÃO DE LMES COM BOAS PROPRIEDADES, EM RELAÇÃO À UNIFORMIDADE E HOMOGENEIDADE. VERICA-SE QUE ESTAS CARACTERÍSTICAS REETEM DIRETAMENTE NA QUALIDADE ÓPTICA DOS LMES INVESTIGADOS, TORNANDO-SE PARÂMETROS IMPORTANTES PARA APLICAÇÕES EM DISPOSITIVOS OPTO-ELETRÔNICOS. ATRAVÉS DOS RESULTADOS NUMÉRICOS VERICOU-SE QUE NAS REGIÕES DO UIDO PRÓXIMAS AO SUBSTRATO, OS MÓDULOS DOS VETORES VELOCIDADE SÃO MAIORES, HÁ UMA MAIOR QUANTIDADE DE MATERIAL SENDO DEPOSITADO. NOTOU-SE TAMBÉM, ATRAVÉS DA DISTRIBUIÇÃO DE VELOCIDADES EM DIREÇÃO AO SUBSTRATO QUE O LME TEM UMA MELHOR UNIFORMIDADE NA SUA ESPESSURA QUANDO OS VETORES VELOCIDADE POSSUEM OS VALORES DE SEUS MÓDULOS MAIS PRÓXIMOS UNS DOS OUTROS. PORTANTO, MUDANDO OS PARÂMETROS INICIAIS DE VISCOSIDADE, DENSIDADE, VELOCIDADE DE IMERSÃO/EMERSÃO DO SUBSTRATO OU TEMPERATURA NO UIDO PODE-SE ESTUDAR O COMPORTAMENTO DO UIDO DURANTE A DEPOSIÇÃO DOS LMES NOS.

Palavras-Chave (EN):

Resumo Original (EN):

IN THIS WORK, THE NUMERICAL SIMULATION OF LIQUID PHASE IN THE THIN LM DEPOSITION, BY THE SOL-GEL-DIP-COATING TECHNIQUE, WAS CARRIED OUT. THE METHOD WAS APPLIED TO TIN DIOXIDE (SNO2) SOLUTIONS. TIN DIOXIDE IS A TRANSPARENT SEMICONDUCTOR OF WIDE BANDGAP, EXTENSIVELY USED IN MANY TYPES OF DEVICES. BESIDES THE CONVENTIONAL PROCEDURE, THIS WORK ANALYSES A NEW PROPOSAL FOR THE DEPOSITION TECHNIQUE, WHERE THE SOLUTION IS HEATED ABOVE ROOM TEMPERATURE. IN BOTH CASES, THE MATHEMATICAL MODELING WAS DONE AND THE APPROPRIATED NUMERICAL METHOD WAS DEVELOPED, BASED ON MAC (MARKER AND CELL) APPROACH. THE PROBLEM WAS SOLVED IN TWO-DIMENSIONAL CARTESIAN COORDINATES AND THE EQUATIONS WERE DISCRETIZED BY THE NITE DIERENCE TECHNIQUE. THE NUMERICAL RESULTS ARE VISUALIZED THROUGH TEMPERATURE AND VECTOR VELOCITY DISTRIBUTIONS IN THE PRECURSOR SOLUTION, YIELDING SUBSIDES TO THE INVESTIGATION OF THE INUENCE OF VECTORS VELOCITY IN THE DEPOSITION OF GOOD PROPERTY LMS, CONCERNING UNIFORMITY AND HOMOGENEITY. IT WAS VERIED THAT THESE CHARACTERISTICS POINT DIRECTLY TOWARD THE OPTICAL QUALITY OF INVESTIGATED LMS, BECOMING IMPORTANT PARAMETERS FOR APPLICATION IN OPTOELECTRONIC DEVICES. THE NUMERICAL RESULTS ALLOW VERIFYING THAT IN THE UID REGIONS CLOSE TO THE SUBSTRATE, WHERE THE VELOCITY MODULUS IS HIGHER, THERE IS A LARGER AMOUNT OF MATERIAL BEING DEPOSITED. IT WAS ALSO NOTICED, THROUGH THE VELOCITY DISTRIBUTION TOWARDS THE SUBSTRATE, THAT THE LM HAS A BETTER THICKNESS UNIFORMITY WHEN THE VECTORS VELOCITY HAVE MODULUS VALUES CLOSER TO EACH OTHER. THEREFORE, CHANGING INITIAL PARAMETERS SUCH AS VISCOSITY, DENSITY, SUBSTRATE DIPPING RATE OR UID TEMPERATURE, IT IS POSSIBLE TO EVALUATE THE UID BEHAVIOR DURING THE THIN LM DEPOSITION.

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