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Biblioteca Virtual de Teses e Dissertações

Título Original (PT):

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Palavras-Chave (PT):

Resumo Original (PT):

DIÓXIDO DE ESTANHO (SNO2) É UM SEMICONDUTOR DE BANDGAP LARGO COM CONDUTIVIDADE DO TIPO-N NA FORMA NÃO DOPADA, SENDO APLICADO EM DISPOSITIVOS DIVERSOS. NESTE TRABALHO, FILMES FINOS E GÉIS SECOS DE SNO2 DOPADOS COM OS ÍONS TERRAS-RARAS CE3+ E EU3+ FORAM SINTETIZADOS ATRAVÉS DO PROCESSO SOL-GEL. POR OUTRO LADO, FILMES FINOS DE GAAS TÊM TAMBÉM SIDO AMPLAMENTE UTILIZADOS, DEVIDO A ALTA MOBILIDADE ELETRÔNICA E TRANSIÇÃO DIRETA. NESTE TRABALHO, TAMBÉM FORAM PRODUZIDOS FILMES FINOS DE GAAS ATRAVÉS DA TÉCNICA DE EVAPORAÇÃO RESISTIVA. SERÃO MOSTRADOS E DISCUTIDOS AQUI RESULTADOS REFERENTES A FILMES FINOS DE SNO2 DOPADO COM ÍONS TERRAS-RARAS, FILMES FINOS DE GAAS E RESULTADOS REFERENTES AO CRESCIMENTO DE FILMES FINOS DE GAAS SOBRE FILMES FINOS DE SNO2 DOPADOS COM TERRAS-RARAS. MEDIDAS DE ABSORÇÃO ÓPTICA PERMITIRAM AVALIAR A QUALIDADE ÓPTICA DOS FILMES E ESTIMAR A ENERGIA DO BANDGAP. DADOS DE DIFRAÇÃO DE RAIOS-X MOSTRARAM ESTRUTURA DO TIPO RUTILO E FASE CASSITERITA DOS FILMES DE SNO2 E TAMBÉM AS DIREÇÕES PRINCIPAIS DOS FILMES DE GAAS. A MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA PERMITIU AVALIAR A ESPESSURA E A QUALIDADE MORFOLÓGICA DA HETEROJUNÇÃO, TANTO COM RELAÇÃO À INTERFACE SNO2/GAAS COMO DA SUPERFÍCIE. A INVESTIGAÇÃO DAS PROPRIEDADES ELÉTRICAS EM SNO2 MOSTRA A ALTA RESISTIVIDADE DO MATERIAL DEVIDO AO CARÁTER ACEITADOR DE ÍONS TERRAS-RARAS NA MATRIZ. FOI INVESTIGADA TAMBÉM A CAPTURA DE ELÉTRONS FOTOEXCITADOS POR CENTROS DE CE3+ TERMICAMENTE ATIVADOS. DO MODELO PROPOSTO, FORAM OBTIDOS PARÂMETROS IMPORTANTES, COMO A BARREIRA DE CAPTURA DEVIDO AOS DEFEITOS DOMINANTES. RESISTIVIDADE EM FUNÇÃO DA TEMPERATURA NA HETEROJUNÇÃO SNO2/GAAS MOSTROU A DIMINUIÇÃO DA RESISTÊNCIA DO CONJUNTO.

Palavras-Chave (EN):

Resumo Original (EN):

TIN DIOXIDE (SNO2) IS A WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR MATERIAL WITH N-TYPE CONDUCTIVITY THE UNDOPED FORM. THIS COMPOUND HAS BEEN APPLIED FOR SEVERAL KINDS OF DEVICES. IN THIS WORK, THIN FILMS AND XEROGELS OF SNO2 DOPED WITH THE RARE-EARTH IONS CE3+ AND EU3+ HAVE BEEN PRODUCED BY THE SOL-GEL PROCESS. ON THE OTHER HAND, GAAS THIN FILMS HAVE ALSO BEEN WIDELY USED, DUE TO HIGH ELECTRONIC MOBILITY AND DIRECT BANDGAP TRANSITION. IN THIS WORK, GAAS THIN FILMS HAVE BEEN DEPOSITED BY THE RESISTIVE EVAPORATION TECHNIQUE. IT IS SHOWN AND DISCUSSED HERE RESULTS CONCERNING RARE-EARTH DOPED SNO2 THIN FILMS, GAAS THIN FILMS AND THE GROWING OF GAAS ON THE TOP OF RARE-EARTH DOPED SNO2. THROUGH THE OPTICAL ABSORPTION SPECTRA IT HAS BEEN POSSIBLE TO EVALUATE THE FILMS OPTICAL QUALITY AND TO ESTIMATE THE OPTICAL BANDGAP. X-RAY DIFFRACTION DATA SHOW THE RUTILE LIKE STRUCTURE AND CASSITERITE PHASE OF SNO2 THIN FILMS AND ALSO SHOW THE MAIN DIRECTIONS OF GAAS FILMS. SCANNING ELECTRON MICROSCOPY ALLOWED EVALUATING THE THICKNESS AND MORPHOLOGICAL QUALITY OF THE HETEROJUNCTION, CONCERNING THE INTERFACE AS WELL AS THE SURFACE. INVESTIGATION OF ELECTRICAL PROPERTIES OF SNO2 SHOWS HIGH RESISTIVITY OF THIS MATERIAL DUE TO THE ACCEPTOR-LIKE CHARACTER OF RARE-EARTH IONS IN THE MATRIX. IT HAS ALSO BEEN INVESTIGATED THE TRAPPING OF PHOTO-INDUCED ELECTRONS BY THE THERMALLY ACTIVATED CE CENTERS. FROM A PROPOSED MODEL, IT HAS BEEN OBTAINED SOME RELEVANT PARAMETERS, SUCH AS THE CAPTURE BARRIER DUE TO THE DOMINANT DEFECTS. DATA OF RESISTIVITY AS FUNCTION OF TEMPERATURE FOR THE SNO2/GAAS HETEROJUNCTION SHOW THE DECREASE OF OVERALL RESISTANCE.

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