| DISSERTAÇÃO DE MESTRADO |
Título Original (PT): |
CÁLCULO E ANÁLISE DE EFEITOS DE CAMPO MAGNÉTICO NOS ESTADOS ELETRÔNICOS DE IMPUREZAS RARAS EM MATERIAIS SEMICONDUTORES |
Autor: |
VANIN BERNARDINO DE SOUZA, GUSTAVO |
Email: |
vanin@fc.unesp.br |
Instituição: |
UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO (UNESP) - BRASIL |
Unidade: |
FACULDADE DE CIÊNCIAS (FC) - BAURU - SP |
Local de Publicação: |
BAURU |
Data de Publicação: |
2009 |
Área: |
MULTIDISCIPLINAR |
Área de Concentração: |
MATERIAIS |
Titulação: |
MESTRE(A) EM MATERIAIS |
Orientador: |
Dr. ALFONSO, ALEXYS BRUNO |
Banca Examinadora: |
♠ Dr. MALVEZZI, ANDRE LUIZ
♠ Dr. ALFONSO, ALEXYS BRUNO
♠ Dr. RIBEIRO, FABIO DE JESUS
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Data de Defesa: |
30/03/2009 |
Palavras-Chave (PT): |
♠ CAMPO MAGN´ETICO
♠ IMPUREZAS
♠ MASSA EFETIVA
♠ SEMICONDUTOR
♠ ´ATOMO DE HIDROG?ENIO
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Resumo Original (PT): |
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S?AO CALCULADOS OS N´ıVEIS DE ENERGIA PARA O ´ATOMO DE HIDROG?ENIO SOB CAMPO MAGN´ETICO
UNIFORME, UTILIZANDO O M´ETODO DAS DIFEREN¸CAS FINITAS. ESTES RESULTADOS, QUANDO MULTIPLICADOS
PELO RYDBERG EFETIVO (QUE DEPENDE DA MASSA EFETIVA E DA PERMITIVIDADE EL´ETRICA DO
MEIO) CORRESPONDEM `A SOLU¸C?AO DO PROBLEMA DE UM EL´ETRON LIGADO A UMA IMPUREZA DOADORA
RASA EM UM SEMICONDUTOR SOB CAMPO MAGN´ETICO (CASO ISOTR´OPICO, PARAB´OLICO, N?AO DEGENERADO).
OS VALORES ENCONTRADOS, PARA CAMPO NULO, S?AO COMPARADOS COM A SOLU¸C?AO ANAL´ıTICA.
PARA CAMPOS MAGN´ETICOS N?AO NULOS AS SOLU¸C?OES S?AO COMPARADAS COM RESULTADOS TE´ORICOS
OBTIDOS MEDIANTE O M´ETODO VARIACIONAL OU POR EXPANS?AO EM S´ERIES DE POT?ENCIAS NA DIRE¸C?AO
RADIAL. O EFEITO DO CAMPO MAGN´ETICO SOBRE OS ORBITAIS AT?OMICOS ´E ANALISADO A PARTIR DA
REPRESENTA¸C?AO GR´AFICA DOS MESMOS. OS VALORES NUM´ERICOS DAS ENERGIAS DE TRANSI¸C?AO S?AO
COMPARADOS COM DADOS EXPERIMENTAIS PARA IMPUREZAS DOADORAS RASAS EM GAN, GAAS E
INP. |
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Título (EN): |
THEORETICAL STUDY OF SHALLOW IMPURITY STATES IN SEMICONDUCTORS SUBJECT TO A MAGNETIC FIELD |
Palavras-Chave (EN): |
♠ EFFECTIVE MASS
♠ HYDROGEN ATOM
♠ IMPURITIES
♠ MAGNETIC FIELD
♠ SEMICONDUCTOR
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Resumo Original (EN): |
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THE ENERGY LEVELS OF THE HYDROGEN ATOM IN A UNIFORM MAGNETIC FIELD ARE CALCULATED BY
USING THE FINITE DIFFERENCE METHOD. THE RESULTING ENERGY LEVELS, WHEN MULTIPLIED BY THE
EFFECTIVE RYDBERG (THAT DEPENDS ON THE EFFECTIVE MASS AND THE ELECTRIC PERMITTIVITY OF THE
MEDIUM), CORRESPOND TO THE ENERGY LEVELS OF AN ELECTRON BOUND TO A SHALLOW DONOR IMPURITY
IN A SEMICONDUCTOR (WITH NON-DEGENERATE, PARABOLIC AND ISOTROPIC CONDUCTION BAND)
SUBJECT TO A MAGNETIC FIELD. THE RESULTS IN THE ABSENCE OF THE MAGNETIC FIELD ARE COMPARED
WITH THE ANALYTICAL SOLUTIONS. FOR FINITE MAGNETIC-FIELD STRENGTHS, THE SOLUTIONS ARE COMPARED
WITH THE RESULTS OBTAINED BY THE VARIATIONAL METHOD OR THROUGH AN EXPANSION IN A
POWER SERIES OF THE RADIAL VARIABLE. THE EFFECT OF THE MAGNETIC FIELD ON THE ATOMIC ORBITALS
IS ANALYZED WITH THE AID OF THEIR GRAPHICAL REPRESENTATION. THE CALCULATED TRANSITION ENERGIES
ARE COMPARED WITH EXPERIMENTAL DATA FOR SHALLOW DONOR IMPURITIES IN GAN, GAAS E
INP. |
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Arquivo: |
DIS_MEST20090330_VANIN BERNARDINO DE SOUZA GUSTAVO.pdf
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Tamanho: |
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Tempo Estimado Para Download: |
2 MINUTO(S) (VELOCIDADE DE CONEXÃO DE 56 Kb/s)
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Criado: |
04/05/2009 ÀS 14:57:21 |
Atualizado: |
04/05/2009 ÀS 14:57:21 |
Visitas: |
878 |
Última Visita em : |
10/04/2024 ÀS 13:07:17 |
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