| DISSERTAÇÃO DE MESTRADO |
Título Original (PT): |
AVALIAÇÃO DA TÉCNICA DE EVAPORAÇÃO RESISTIVA PARA A DEPOSIÇÃO DE FILMES FINOS DE GAAS E COMPOSTOS DE GAAS COM ÓXIDOS E CLORETOS DE ER OU YB |
Autor: |
CORREA, PATRICIA |
Email: |
paty.fisica@gmail.com |
Instituição: |
UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO (UNESP) - BRASIL |
Unidade: |
FACULDADE DE CIÊNCIAS (FC) - BAURU - SP |
Local de Publicação: |
BAURU |
Data de Publicação: |
2008 |
Área: |
MULTIDISCIPLINAR |
Área de Concentração: |
MATERIAIS |
Titulação: |
MESTRE(A) EM MATERIAIS |
Orientador: |
Dr. SCALVI, LUIZ VICENTE ANDRADE |
Banca Examinadora: |
♠ Dr. SCALVI, LUIZ VICENTE ANDRADE
♠ Dr. MASTELARO, VALMOR ROBERTO
♠ Drª. RUBO, ELISABETE APARECIDA ANDRELO
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Data de Defesa: |
19/08/2008 |
Palavras-Chave (PT): |
♠ ARSENETO DE GÁLIO
♠ EVAPORAÇÃO RESISTIVA
♠ SEMICONDUTOR
♠ TÉCNICAS DE DEPOSIÇÃO DE FILMES FINOS
♠ TERRA-RARA
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Resumo Original (PT): |
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NESTE TRABALHO É FEITA A DEPOSIÇÃO DE FILMES FINOS PELA TÉCNICA DE EVAPORAÇÃO
RESISTIVA A PARTIR DE PÓS DE ARSENETO DE GÁLIO (GAAS) E COMPOSTOS DE GAAS COM ÓXIDOS E
CLORETOS DE ÉRBIO (ER) OU ITÉRBIO (YB). TRATA-SE DE UM MÉTODO RELATIVAMENTE SIMPLES DE
DEPOSIÇÃO, NO QUAL OS COMPOSTOS SÃO EVAPORADOS CONJUNTAMENTE. O OBJETIVO É OBSERVAR A
EFICIÊNCIA DESSE MÉTODO PARA A PRODUÇÃO DESSES FILMES FINOS, A PARTIR DE COMPOSTOS QUE
POSSUAM DIFERENTES CARACTERÍSTICAS, TAIS COMO CONSIDERÁVEIS DIFERENÇAS DE TEMPERATURAS DE
EVAPORAÇÃO.
DEPOSITAMOS FILMES EM DIFERENTES CONDIÇÕES E ESTEQUIOMETRIAS E ANALISAMOS AS
PROPRIEDADES ESTRUTURAIS PELA TÉCNICA DE DIFRAÇÃO DE RAIOS-X. A COMPOSIÇÃO QUALITATIVA DAS
AMOSTRAS FOI OBTIDA POR ENERGIA DISPERSIVA DE RAIOS-X. AS PROPRIEDADES ÓPTICAS FORAM
ANALISADAS ATRAVÉS DE MEDIDAS DE TRANSMITÂNCIA ÓPTICA DENTRO DA FAIXA DO VISÍVEL AO
INFRAVERMELHO MÉDIO. REALIZAMOS TAMBÉM A CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA ATRAVÉS DE MEDIDAS DE
RESISTÊNCIA EM FUNÇÃO DA TEMPERATURA EM FILMES DE GAAS E COMPOSTO DE GAAS COM ERCL3.
APRESENTAMOS NO APÊNDICE UMA PROPOSTA DE INVESTIGAÇÃO DAS PROPRIEDADES DE TRANSPORTE
ELÉTRICO DE UMA DESSAS AMOSTRAS, ENVOLVENDO UM MODELO PARA CÁLCULO DA CONDUTIVIDADE. DE
IMEDIATO, A CONTRIBUIÇÃO DESTE TRABALHO É PARA A COMPREENSÃO DOS FENÔMENOS FÍSICOS QUE
ACONTECEM DURANTE O PROCESSO DE CRESCIMENTO, E A INVESTIGAÇÃO PARÂMETROS DE DEPOSIÇÃO QUE
VIABILIZEM O EMPREGO DA TÉCNICA PARA OS DIFERENTES MATERIAIS EVAPORADOS. |
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Título (EN): |
EVALUATION OF THE RESISTIVE EVAPORATION TECHNIQUE FOR THE DEPOSITION OF THIN FILMS OF GAAS AND COMPOUNDS OF GAAS WITH OXIDES AND CHLORIDES OF ER OR YB |
Palavras-Chave (EN): |
♠ GALLIUM ARSENIDE
♠ RARE-EARTH
♠ RESISTIVE EVAPORATION
♠ SEMICONDUCTOR
♠ THIN FILMS
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Resumo Original (EN): |
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IN THIS WORK, THIN FILM DEPOSITION IS CARRIED OUT, USING THE RESISTIVE EVAPORATION
TECHNIQUE, FROM POWDERS OF GALLIUM ARSENIDE (GAAS) AND ERBIUM (ER) OR YTTERBIUM (YB)
OXIDES AND CHLORIDES. IT IS A RELATIVELY SIMPLE DEPOSITION TECHNIQUE, WHERE THE COMPOUNDS ARE
SIMULTANEOUSLY EVAPORATED. THE GOAL IS TO OBSERVE THE EFFICIENCY OF THIS GROWTH METHOD FOR
THE PRODUCTION OF THIN FILMS, FROM COMPOUNDS WITH DISTINCT CHARACTERISTICS, SUCH AS HIGH
DIFFERENCE BETWEEN EVAPORATION TEMPERATURES.
FILMS HAVE BEEN DEPOSITED UNDER DIFFERENT CONDITIONS AND STOICHIOMETRY, AND THEIR
STRUCTURAL PROPERTIES WERE ANALYZED BY X-RAY DIFFRACTION TECHNIQUE. SAMPLE COMPOSITION WAS
OBTAINED BY X-RAY DISPERSIVE ENERGY. OPTICAL PROPERTIES WERE ANALYZED THROUGH OPTICAL
TRANSMITTANCE FROM VISIBLE TO MEDIUM INFRARED. ELECTRICAL CHARACTERIZATION WAS ALSO CARRIED
OUT, USING MEASUREMENTS OF RESISTANCE AS FUNCTION OF TEMPERATURE FOR GAAS AND GAAS WITH
ERCL3 COMPOUNDS. AN APPENDIX IS ALSO PRESENTED, CONTAINING A PROPOSAL OF ELECTRICAL TRANSPORT
INVESTIGATION, INVOLVING CONDUCTIVITY CALCULATION. THE CONTRIBUTION OF THIS WORK IS TOWARDS THE
UNDERSTANDING OF PHYSICAL PHENOMENA THAT TAKES PLACE DURING THE GROWTH PROCESS, AND THE
INVESTIGATION OF DEPOSITION PARAMETERS WITH MAKE RELIABLE THE UTILIZATION OF THIS TECHNIQUE FOR
THE DIFFERENT EVAPORATED MATERIALS. |
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Arquivo: |
DIS_MEST20080819_CORREA PATRICIA.pdf
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Tamanho: |
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Tempo Estimado Para Download: |
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Criado: |
06/10/2008 ÀS 10:28:23 |
Atualizado: |
06/10/2008 ÀS 10:28:23 |
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22/04/2025 ÀS 20:51:10 |
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